[發明專利]TEM樣品的制備方法及TEM樣品

在審

• 申請號: 201410398380.9
• 申請日: 2014-08-13
• 公開（公告）號: CN105334086A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 陳柳;段淑卿;蘇佳偉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01N23/22
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

在芯片中獲得包含待測結構的薄片，所述薄片包括相對設置的第一面和第二面；

沿所述第一面對所述薄片進行第一次研磨，以使所述第一面靠近所述待測結構；

在所述第一次研磨后的所述第一面上沉積第一保護層，使所述第一保護層和所述待測結構具有相近的成像襯度；

沿所述第二面對所述薄片進行第二次研磨，以使所述第二面靠近所述待測結構；

將所述第二次研磨后的所述薄片從所述芯片中剝離，以獲得所述TEM樣品。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一面和所述第二面垂直于或平行于所述芯片的上表面。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一面和所述第二面垂直于所述芯片的上表面，在所述芯片中獲得所述薄片的步驟包括：

在所述芯片中與所述待測結構位置相對應的上表面上沉積第二保護層；

在所述第二保護層兩側的所述芯片中分別形成凹槽；

切割位于所述凹槽之間的所述芯片的底部和兩側，以形成U型的所述薄片，并將所述薄片中靠近所述凹槽的側面作為所述第一面和所述第二面。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第二保護層的材料為鉑或鎳。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，切割所述芯片的工藝為聚焦離子束工藝。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述第二次研磨的步驟之后，減薄所述第一保護層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，

在沉積所述第一保護層的步驟中，在所述第一次研磨后的所述第一面上沉積厚度為50～100nm的所述第一保護層；

在減薄所述第一保護層的步驟中，減薄形成厚度為20～40nm的所述第一保護層；

在獲得所述TEM樣品的步驟中，獲得厚度為30～80nm的所述TEM樣品。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一次研磨和所述第二次研磨的工藝為聚焦離子束工藝。

9.根據權利要求1至7中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述待測結構為缺陷結構、接觸孔結構或互連層，所述第一保護層為碳層。

10.一種TEM樣品，其特征在于，所述TEM樣品由權利要求1至9中任一項所述的制備方法制作而成。