[發(fā)明專利]應(yīng)用于低溫多晶硅加熱工藝中的加熱裝置及加熱方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410398314.1 | 申請日： | 2014-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN105332059A | 公開（公告）日： | 2016-02-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭思君;吳建宏;嚴(yán)曉龍;劉沖 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/02 | 分類號： | C30B33/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;黃艷 |
| 地址： | 201500 上海市金山區(qū)*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 應(yīng)用于 低溫 多晶 加熱 工藝 中的 裝置 方法 | ||
1.一種應(yīng)用于低溫多晶硅加熱工藝中的加熱裝置，所述加熱裝置包括：
加熱室；
輻射式加熱器，設(shè)置在所述加熱室的外側(cè)，用以向該加熱室內(nèi)提供輻射熱量；以及
吸熱板，設(shè)置于加熱室內(nèi)，所述吸熱板能夠吸收所述輻射式加熱器的輻射熱量，并且所述吸熱板上能夠放置待加熱的物件，
其中，當(dāng)將所述待加熱的物件放置在所述加熱室中的所述吸熱板上并與該吸熱板接觸時(shí)，在所述物件接受所述輻射式加熱器的輻射熱量的同時(shí)，所述吸熱板利用所吸收的輻射熱量以接觸的方式傳遞給所述物件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其中所述吸熱板的比熱低于所述物件的比熱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其中所述吸熱板是由高熱傳導(dǎo)率的材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其中所述輻射式加熱器為多個(gè)，并且圍繞所述吸熱板布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其中所述輻射式加熱器為紅外線加熱器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其中所述加熱裝置應(yīng)用于低溫多晶硅的快速退火設(shè)備中。
7.一種應(yīng)用于低溫多晶硅的加熱工藝中的加熱方法，所述加熱方法包括：
將待加熱的物件放置在一吸熱板上，并與該吸熱板接觸；以及
利用輻射加熱的方式對所述吸熱板和所述物件進(jìn)行加熱，
其中，所述吸熱板能夠吸收所述輻射式加熱器的輻射熱量，并利用所吸收的輻射熱量以接觸方式加熱所述物件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱方法，其中所述吸熱板的比熱低于所述物件的比熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱方法，其中所述吸熱板是由高熱傳導(dǎo)率的材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱方法，其中所述加熱方法應(yīng)用于低溫多晶硅的快速退火工藝中。
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