[發明專利]一種氧化鋯真空鍍膜無效
| 申請號： | 201410395562.0 | 申請日： | 2014-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN104129117A | 公開（公告）日： | 2014-11-05 |
| 發明（設計）人： | 陳學兵 | 申請（專利權）人： | 蘇州普京真空技術有限公司 |
| 主分類號： | B32B9/04 | 分類號： | B32B9/04;C23C14/08 |
| 代理公司： | 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234 | 代理人： | 劉述生 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋯 真空鍍膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化鋯真空鍍膜，其特征在于，包括中間基層和兩層氧化鋯層，所述兩層氧化鋯層分別位于所述中間基層的上下兩側，所述中間基層上層的所述氧化鋯層的厚度大于所述中間基層下層的所述氧化鋯層的厚度。
2.根據權利要求1所述的氧化鋯真空鍍膜，其特征在于，所述中間基層為氧化硅或氧化鈣。
3.根據權利要求1所述的氧化鋯真空鍍膜，其特征在于，所述中間基層上層的所述氧化鋯層的厚度為0.03-0.08mm。
4.根據權利要求1所述的氧化鋯真空鍍膜，其特征在于，所述中間基層下層的所述氧化鋯層的厚度為0.01-0.03mm。
5.根據權利要求1所述的氧化鋯真空鍍膜，其特征在于，所述中間基層的厚度為0.03-0.06mm。
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