[發明專利]一種基于鋁陽極氧化技術的基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201410394186.3
• 申請日: 2014-08-12
• 公開（公告）號: CN104125710B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 劉凱;王盈瑩;王立春
• 申請（專利權）人: 上海航天電子通訊設備研究所
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/46;H05K7/20
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種基于鋁陽極氧化技術的基板，其特征在于，包括：

鋁合金基板，其含有多孔氧化鋁介質，所述鋁合金基板具有兩相對的第一表面及第二表面；

第一層布線，位于所述鋁合金基板的第一表面上；

第二層布線，埋置于所述鋁合金基板中；

第三層布線，位于所述鋁合金基板的第二表面上；以及

鋁全通柱和鋁半通柱，其中所述鋁全通柱貫穿所述鋁合金基板的第一表面及第二表面，所述鋁半通柱未貫穿所述鋁合金基板；

對第一步光刻涂膠后的所述鋁合金基板進行第一步光刻，形成第二層布線的初步掩膜圖形；對第一步光刻后的鋁合金基板進行致密型陽極氧化，形成致密型氧化層，再進行第一次去膠，形成第二層布線的圖形掩膜；對第一次去膠后的鋁合金基板進行第二步光刻涂膠，并進行第二步光刻，形成第一層布線、第三層布線及鋁全通柱和鋁半通柱的圖形掩膜；對第二步光刻后的鋁合金基板進行穿透型陽極氧化，形成多孔型氧化鋁介質，再進行第二次去膠，完成基板的制造；其中，所述第一層布線、第三層布線、鋁全通柱的圖形掩膜通過第二步光刻工藝制得，第二層布線的圖形掩膜通過第一步光刻工藝和致密型陽極氧化制得，所述鋁半通柱的圖形掩膜通過第一步光刻工藝、致密型陽極氧化和第二步光刻工藝制得，所述第一層布線、第三層布線的圖形掩膜是第二步光刻所涂的光刻膠，所述第二層布線的圖形掩膜材料是致密型氧化鋁層；所述鋁全通柱的圖形掩膜位于所述鋁合金基板的金屬鋁上，是第二步光刻所涂的光刻膠；所述鋁半通柱的圖形掩膜在所述鋁合金基板的第一表面上，是第二步光刻所涂的光刻膠或致密型氧化鋁層，在所述鋁合金基板的第二表面上是致密型氧化鋁層或第二步光刻所涂的光刻膠，并且第二步光刻所涂的膠位于致密型氧化鋁層上。

2.根據權利要求1所述的基于鋁陽極氧化技術的基板，其特征在于，所述鋁合金基板含有硅、鎂、鐵元素，所述鋁合金基板的厚度為0.1mm至0.3mm。

3.一種基于鋁陽極氧化技術的基板制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

對含有多孔鋁介質的鋁合金基板進行預處理，再進行第一步光刻涂膠；

對第一步光刻涂膠后的所述鋁合金基板進行第一步光刻，形成第二層布線的初步掩膜圖形；

對第一步光刻后的鋁合金基板進行致密型陽極氧化，形成致密型氧化層，再進行第一次去膠，形成第二層布線的圖形掩膜；

對第一次去膠后的鋁合金基板進行第二步光刻涂膠，并進行第二步光刻，形成第一層布線層、第三層布線及鋁全通柱和鋁半通柱的圖形掩膜；

對第二步光刻后的鋁合金基板進行穿透型陽極氧化，形成多孔氧化鋁介質，再進行第二次去膠，完成基板的制造；

其中，所述第一層布線、第三層布線、鋁全通柱的圖形掩膜通過第二步光刻工藝制得，第二層布線的圖形掩膜通過第一步光刻工藝和致密型陽極氧化制得，所述鋁半通柱的圖形掩膜通過第一步光刻工藝、致密型陽極氧化和第二步光刻工藝制得，所述第一層布線、第三層布線的圖形掩膜是第二步光刻所涂的光刻膠，所述第二層布線的圖形掩膜材料是致密型氧化鋁層；所述鋁全通柱的圖形掩膜位于所述鋁合金基板的金屬鋁上，是第二步光刻所涂的光刻膠；所述鋁半通柱的圖形掩膜在所述鋁合金基板的第一表面上，是第二步光刻所涂的光刻膠或致密型氧化鋁層，在所述鋁合金基板的第二表面上是致密型氧化鋁層或第二步光刻所涂的光刻膠，并且第二步光刻所涂的膠位于致密型氧化鋁層上。

4.根據權利要求3所述的基于鋁陽極氧化技術的基板制造方法，其特征在于，所述鋁合金基板含有硅、鎂、鐵元素，所述鋁合金基板的厚度為0.1mm至0.3mm。

5.根據權利要求3所述的基于鋁陽極氧化技術的基板制造方法，其特征在于，所述致密型氧化層的厚度為0.5微米到5微米。

6.根據權利要求3所述的基于鋁陽極氧化技術的基板制造方法，其特征在于，所述致密型陽極氧化的過程時間控制在10分鐘到30分鐘；所述穿透型陽極氧化的過程時間控制在6小時到20小時。

7.根據權利要求6所述的基于鋁陽極氧化技術的基板制造方法，其特征在于，所述致密型陽極氧化所用的電解液為檸檬酸、硼酸；所述穿透型陽極氧化所用的電解液為硫酸、磷酸、鉻酸或草酸。

8.根據權利要求7所述的基于鋁陽極氧化技術的基板制造方法，其特征在于，所述第二次去膠采用的方法為等離子體干法去膠工藝。