[發明專利]有利于減少正面柵線數目的異質結電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201410393187.6
• 申請日: 2014-08-11
• 公開（公告）號: CN104134707A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 郭萬武;包健
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/20
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務所 32225
• 代理人: 孫彬

1.一種有利于減少正面柵線數目的異質結電池，它具有襯底(1)、正面本征非晶硅薄膜層(21)、摻雜層、透明導電薄膜層(61)和金屬柵線層(8)，正面本征非晶硅薄膜層(21)沉積在襯底(1)的正面上，摻雜層沉積在正面本征非晶硅薄膜層(21)的上表面上，透明導電薄膜層(61)沉積在摻雜層的上表面上，金屬柵線層(8)設置在透明導電薄膜層(61)的上表面上，其特征在于：所述的摻雜層包括呈交替橫向排列的重摻雜區域(4)和輕摻雜區域(5)，并且輕摻雜區域(5)的中部設置有發射極單元隔離層(7)。

2.根據權利要求1所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池，其特征在于：它還具有背面本征非晶硅薄膜層(22)、背面場(3)、導電介質層(62)和銀漿層(9)，背面本征非晶硅薄膜層(22)沉積在襯底(1)的背面上，背面場(3)沉積在背面本征非晶硅薄膜層(22)的下表面上，導電介質層(62)沉積在背面場(3)的下表面上，銀漿層(9)設置在導電介質層(62)的下表面上。

3.根據權利要求2所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池，其特征在于：所述的背面場(3)為重摻雜硅基薄膜，其導電類型與襯底的導電類型相同。

4.根據權利要求1或2所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池，其特征在于：所述的透明導電薄膜層(61)采用PVD沉積法或MOCVD沉積法制備在摻雜層的上表面上。

5.根據權利要求1或2所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池，其特征在于：所述的重摻雜區域(4)和輕摻雜區域(5)的導電類型均與襯底(1)的導電類型相反。

6.根據權利要求1或2所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池，其特征在于：所述的重摻雜區域(4)和輕摻雜區域(5)均采用PECVD沉積法沉積在正面本征非晶硅薄膜層(21)的上表面上。

7.根據權利要求1或2所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池，其特征在于：所述的發射極單元隔離層(7)采用激光劃線法設置在每個輕摻雜區域(5)的中部。

8.一種如權利要求1至7中任一項所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池的制備方法，其特征在于它包含如下步驟：

(1)對襯底(1)進行表面處理；

(2)在襯底(1)的正面生長正面本征非晶硅薄膜層(21)；

(3)制備摻雜層：在正面本征非晶硅薄膜層(21)上交替沉積出重摻雜區域(4)和輕摻雜區域(5)作為異質結電池的發射極，并在每個輕摻雜區域(5)的中部制備出發射極單元隔離層(7)使各發射極單元彼此獨立存在，處于橫向并聯模式；

(4)在摻雜層的上表面沉積透明導電薄膜層(61)；

(5)在透明導電薄膜層(61)的上表面制備金屬柵線層(8)；

(6)后續處理，完成有利于減少正面柵線數目的異質結電池的制備。

9.根據權利要求8所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池的制備方法，其特征在于：在所述的步驟(1)和步驟(2)之間，還包含步驟：在襯底(1)的背面沉積出背面本征非晶硅薄膜層(22)，而后在背面本征非晶硅薄膜層(22)的下表面上沉積出背面場(3)；在所述的步驟(4)和步驟(5)之間，還包含步驟：在背面場(3)的下表面上沉積出導電介質層(62)；在所述的步驟(5)中，并同時在導電介質層(62)的下表面上制備銀漿層(9)。

10.根據權利要求9所述的有利于減少正面柵線數目的異質結電池的制備方法，其特征在于：在所述的步驟(5)中，采用絲網印刷工藝制備金屬柵線層(8)，并在金屬柵線層(8)和銀漿層(9)制備完畢后，在氮氣氛圍中烘干。