[發(fā)明專利]形成多晶硅電阻的方法及半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410392176.6
• 申請(qǐng)日: 2014-08-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105336575B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏禹;劉麗麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L23/64
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種形成多晶硅電阻的方法，其特征在于，所述方法包括：

在半導(dǎo)體基體上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層的表面上形成含硅介質(zhì)薄膜，以使硅原子擴(kuò)散至所述多晶硅層中并形成所述多晶硅電阻；

在形成所述含硅介質(zhì)薄膜和所述多晶硅電阻的步驟中，通入包含硅前驅(qū)體的反應(yīng)氣體以沉積形成所述含硅介質(zhì)薄膜，并且使得所述硅前驅(qū)體中的硅原子擴(kuò)散至所述多晶硅層中形成所述多晶硅電阻，并保留部分所述含硅介質(zhì)薄膜；

在形成所述含硅介質(zhì)薄膜和所述多晶硅電阻的步驟中，所述反應(yīng)氣體的總流量為3000～5000sccm，沉積溫度為400～600℃，沉積時(shí)間為10～60s。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述含硅介質(zhì)薄膜和所述多晶硅電阻的步驟中，所述硅前驅(qū)體中的硅原子擴(kuò)散至部分所述多晶硅層中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述含硅介質(zhì)薄膜為富氧硅，所述反應(yīng)氣體包括所述硅前驅(qū)體和一氧化二氮；

所述含硅介質(zhì)薄膜為二氧化硅，所述反應(yīng)氣體包括所述硅前驅(qū)體和氧氣；

所述含硅介質(zhì)薄膜為氮化硅，所述反應(yīng)氣體包括所述硅前驅(qū)體和氮?dú)狻?/p>

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，

所述含硅介質(zhì)薄膜為富氧硅，所述反應(yīng)氣體中所述硅前驅(qū)體和所述一氧化二氮的體積比為1：5～10；

所述含硅介質(zhì)薄膜為二氧化硅，所述反應(yīng)氣體中所述硅前驅(qū)體和所述氧氣的體積比為2～6；

所述含硅介質(zhì)薄膜為氮化硅，所述反應(yīng)氣體中所述硅前驅(qū)體和所述氮?dú)獾捏w積比為1：10～20。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含硅介質(zhì)薄膜和所述多晶硅電阻的步驟中，擴(kuò)散至所述多晶硅層中的硅原子的濃度為1E+6～1E+8atoms/cm3，以形成電阻率為800～1200Ω·cm的所述多晶硅電阻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述硅前驅(qū)體為硅烷、二甲基硅烷或四乙氧基硅烷。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅介質(zhì)薄膜構(gòu)成金屬硅化物阻擋層。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括多晶硅電阻，與部分所述多晶硅電阻連接的金屬硅化物，以及與所述金屬硅化物連接的接觸金屬層，其特征在于，所述多晶硅電阻由權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法形成。