[發(fā)明專利]一種觸控面板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410392069.3
• 申請日: 2014-08-11
• 公開（公告）號: CN104199578B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄒祥祥
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044;G02F1/1333
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 任巖

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種觸控面板及其制作方法。

背景技術(shù)

對于液晶顯示屏(Liquid Crystal Display，LCD)而言，液晶層中的液晶分子在公共電極與像素電極之間電場的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，使光線能夠通過液晶層或不通過液晶層，并通過控制像素電極上的電壓來調(diào)節(jié)液晶分子的偏轉(zhuǎn)量，進(jìn)而控制顯示畫面的灰階變化。

通常，LCD顯示屏中公共電極與電容式觸控電極共用，電容式觸控電極包括驅(qū)動電極和感應(yīng)電極，驅(qū)動電極與感應(yīng)電極之間形成耦合電容，當(dāng)有人體接觸觸摸屏?xí)r，人體電場就會影響該耦合電容的電容值，進(jìn)而改變感應(yīng)電極耦合出的電壓信號，驅(qū)動電極通過逐行掃描檢測到電壓信號的改變，感應(yīng)電極對電壓信號發(fā)生改變的位置進(jìn)行定位，進(jìn)而能夠確定觸點(diǎn)位置。

如圖1所示，圖1是現(xiàn)有的菱形觸控電極在公共電極層中位置分布的俯視圖。以四個菱形觸控電極為例，實(shí)際上觸控電極是以陣列結(jié)構(gòu)排列于公共電極層中，公共電極層每一行或每一列均設(shè)置有多個菱形觸控電極。圖1中，四個菱形觸控電極設(shè)置在同一層，豎直方向上的兩個菱形觸控電極為感應(yīng)電極Rx，水平方向的兩個菱形觸控電極為驅(qū)動電極Tx，兩個感應(yīng)電極直接連接，兩個驅(qū)動電極通過銦錫氧化物(ITO)橋10連接。

從圖1可以看出，菱形觸控電極中的驅(qū)動電極或感應(yīng)電極的邊界與像素區(qū)中各像素單元的邊界是相互交叉，互不平行的。由于各菱形觸控電極的邊界與像素區(qū)中各像素單元的邊界相互交叉、互不平行，使各菱形觸控電極之間耦合電容的變化會在一定程度上影響像素電極與公共電極之間的電場，進(jìn)而影響液晶分子的偏轉(zhuǎn)，最終體現(xiàn)在顯示效果上對LCD顯示屏的顯示效果產(chǎn)生不利影響。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種觸控面板及其制作方法，以降低菱形ITO觸控電極之間耦合電容的變化對LCD顯示屏顯示效果的不利影響。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸控面板，包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之間的顯示介質(zhì)層、黑矩陣、多個驅(qū)動電極單元和多個感應(yīng)電極單元，所述驅(qū)動電極單元與所述感應(yīng)電極單元間隔分布，其中，每個驅(qū)動電極單元或感應(yīng)電極單元均包括多個透明電極，所述透明電極的邊界在具有所述黑矩陣的基板的投影位于所述黑矩陣覆蓋的范圍內(nèi)或者與所述黑矩陣覆蓋的范圍重合。

優(yōu)選地，所述透明電極為四邊形透明電極，各四邊形透明電極在驅(qū)動電極單元或感應(yīng)電極單元內(nèi)是縱向設(shè)置的，任意相鄰的驅(qū)動電極單元與感應(yīng)電極單元呈插指排列；在橫向，驅(qū)動電極單元的四邊形透明電極與感應(yīng)電極單元的四邊形透明電極間隔排列，相互絕緣；在縱向，感應(yīng)電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅(qū)動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅(qū)動電極子單元，相鄰的兩個驅(qū)動電極子單元之間相互絕緣，且在驅(qū)動電極子單元所在的橫向各驅(qū)動電極子單元采用過橋連接；或者，驅(qū)動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應(yīng)電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應(yīng)電極子單元，相鄰的兩個感應(yīng)電極子單元之間相互絕緣，且在感應(yīng)電極子單元所在的橫向各感應(yīng)電極子單元采用過橋連接。

優(yōu)選地，所述黑矩陣形成于所述第一基板，所述多個驅(qū)動電極單元和多個感應(yīng)電極單元形成于所述第二基板。所述第一基板為彩色濾光(CF)基板，所述第二基板為薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板，所述顯示介質(zhì)層為液晶層。所述多個驅(qū)動電極單元和多個感應(yīng)電極單元形成于所述薄膜晶體管陣列基板的同一層，該層為公共電極層。

優(yōu)選地，所述四邊形透明電極的邊界在所述薄膜晶體管陣列基板非公共電極層的投影位于所述薄膜晶體管陣列基板的柵極線或數(shù)據(jù)線覆蓋的范圍內(nèi)或者與所述薄膜晶體管陣列基板的柵極線或數(shù)據(jù)線覆蓋的范圍重合。

優(yōu)選地，所述四邊形透明電極為長方形透明電極或正方形透明電極。

優(yōu)選地，所述四邊形透明電極是采用銦錫氧化物ITO材料制作的ITO透明電極。

優(yōu)選地，所述任意相鄰的驅(qū)動電極單元與感應(yīng)電極單元之間采用鈍化材料進(jìn)行絕緣。

優(yōu)選地，所述鈍化材料采用氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃PSG或硼磷硅玻璃BPSG。

優(yōu)選地，所述過橋采用金屬過橋或ITO過橋。