[發明專利]一種納米石墨電極在審
| 申請號： | 201410391904.1 | 申請日： | 2014-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN104177127A | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發明（設計）人： | 陳照峰;聶麗麗 | 申請（專利權）人： | 蘇州宏久航空防熱材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/52 | 分類號： | C04B41/52 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 215400 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 石墨電極 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米石墨電極，由實心的石墨棒基體及基體外圍的非金屬抗氧化層組成，其特征在于由內到外的結構成分依次為含有納米陶瓷顆粒的石墨棒、第一層碳化硅、石墨烯和第二層碳化硅，不同成分之間有著緊密的分子或原子間結合。
2.根據權利要求1所述的納米石墨電極，其特征在于所述的石墨棒的調節電阻為0.5～5％，直徑為5～200mm，由納米陶瓷顆粒與石墨顆粒組成，其中石墨顆粒直徑小于等于3微米，重量分數為90～95％。
3.根據權利要求1所述的納米石墨電極，其特征在于所述的納米陶瓷顆粒成份為碳化硅、碳化鉿、碳化鉭、碳化鋯，彌散分布在石墨基體中，重量分數為5～10％。
4.根據權利要求1所述的納米石墨電極，其特征在于所述的第一層碳化硅的厚度為10～100nm，均勻分布在石墨棒基體外圍。
5.根據權利要求1所述的納米石墨電極，其特征在于所述的石墨烯厚度為0.01～10nm。
6.根據權利要求1所述的納米石墨電極，其特征在于所述的第二層碳化硅分布在電極最外圍，厚度為100～1000nm。
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