[發明專利]一種石墨烯-SiC薄膜的制備方法在審

申請號：	201410391805.3	申請日：	2014-08-08
公開（公告）號：	CN104120402A	公開（公告）日：	2014-10-29
發明（設計）人：	陳照峰;汪洋	申請（專利權）人：	蘇州宏久航空防熱材料科技有限公司
主分類號：	C23C16/32	分類號：	C23C16/32;C23C16/26;C23C16/52
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	215400 江蘇省***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種石墨 sic 薄膜制備方法
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【權利要求書】：

1.一種石墨烯-SiC薄膜的制備方法，其特征在于采用乙烯和硅橡膠作為碳源和硅源，將過渡金屬襯底和硅橡膠置于真空反應系統中，在除去真空腔內氧氣的情況下，維持室內真空度1-500Pa，并升溫至600-1100℃，將氫氣注入真空腔中，再將碳源氣體注入真空腔中，同時保持氫氣流量，保溫1-100分鐘，降溫速率為10-60℃/min。

2.根據權利要求1所述的制備的方法，其特征在于所述的硅橡膠為粉末，顆粒尺寸為100微米-1000微米，通過氣流載入，供給速度為1g-10g/min。

3.根據權利要求1所述的制備的方法，其特征在于所述的乙烯流量為5-100mL/min。

4.根據權利要求1所述的制備的方法，其特征在于所述的氫氣流量為0-50mL/min。

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