[發明專利]一種在真空中搭載襯底的方式

有效

• 申請號: 201410391437.2
• 申請日: 2014-08-11
• 公開（公告）號: CN104152844A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 董國材;張祥;劉進行;王雷
• 申請（專利權）人: 江南石墨烯研究院
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C16/02
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種在真空中搭載襯底的方式，其特點在于：通過合理安插硬質耐高溫的樁子在隔熱板上，可以實現襯底緊貼樁子的致密纏繞，這種打樁纏繞的方式為所有的襯底區域都構建了相對應的襯底區域，從而實現在高溫生長過程中相對的襯底區域互相補償蒸發出來的表面原子，避免襯底表面原子在高溫下蒸發造成的成膜形貌缺陷；另外，這種緊密纏繞的方式有效的利用了空間，可以實現大面積的薄膜生長。

2.權利要求1中所述的高溫環境的實現方法可以為：?電阻加熱源、電子束轟擊源等任何將襯底加熱至薄膜生長所需要溫度的加熱方法。

3.根據權利要求1中所述的襯底，其特性在于：可以但不僅限于：銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、錳(Mn)、鉬(Mo)、釕(Rh)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、銠（Rh）、鎢(W)、硅（Si）、碳化硅（SiC）中的一種或任意兩種以上的組合。

4.權利要求1中所述的樁子的材料可以為任意硬質耐高溫的材料，例如鉬(Mo)、熱解石墨等。

5.權利要求1中所述的隔熱板的材料可以為任意耐高溫、導熱率低的材料，例如鉬(Mo)、不銹鋼等。

6.權利要求1中所述的薄膜可以為任意薄膜材料，例如石墨烯、六角氮化硼等。

7.權利要求1中所述的隔熱板上的樁子的排布并不僅僅限于所提到的波浪形和螺旋形這兩種情形，根據所需生長的薄膜的面積或任何其他生長工藝的考量，可以采取任何緊致的或寬松的排布樁子的方式，也可以采取任何適宜的樁子的長度。