[發明專利]根據圖形特征對自動聚焦光強進行補償的缺陷檢測方法有效
| 申請號： | 201410390806.6 | 申請日： | 2014-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN104201124B | 公開（公告）日： | 2017-03-29 |
| 發明（設計）人： | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 根據 圖形 特征 自動 聚焦 進行 補償 缺陷 檢測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種根據圖形特征對自動聚焦光強進行補償的缺陷檢測方法，其特征在于包括：
第一步驟，用于將芯片置于聚焦光路下，從而利用聚焦光路對具有不同電路特征區域的芯片上進行掃描；
第二步驟，用于根據掃描結果獲得聚焦光路反射信號強度分布；
第三步驟，用于根據聚焦光路反射信號強度分布對芯片上的聚焦光路反射信號強度按照不同的強度梯度設定多個聚焦光路反射信號強度區域；
第四步驟，用于對所述多個聚焦光路反射信號強度區域中不滿足焦距強度閾值要求的區域設定信號放大系數，并以所述信號放大系數來放大聚焦光路中照射所述不滿足焦距強度的區域的聚焦光部分的強度；
第五步驟，用于利用所述聚焦光部分放大后的聚焦光路對芯片進行掃描。
2.根據權利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，聚焦光路中除所述聚焦光部分之外的部分的光強不變。
3.根據權利要求1或2所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述信號放大系數等于焦距強度閾值除以通過第一步驟對所述不滿足焦距強度的區域掃描得到的最小聚焦光路反射信號強度值。
4.根據權利要求1或2所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述信號放大系數大于焦距強度閾值除以通過第一步驟對所述不滿足焦距強度的區域掃描得到的最小聚焦光路反射信號強度值。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
