[發明專利]精確定位分析電子束缺陷檢測發現的重復結構缺陷的方法有效
| 申請號： | 201410390740.0 | 申請日： | 2014-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN104157586B | 公開（公告）日： | 2017-03-08 |
| 發明（設計）人： | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 精確 定位 分析 電子束 缺陷 檢測 發現 重復 結構 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種精確定位分析電子束缺陷檢測發現的重復結構缺陷的方法，其特征在于包括：
第一步驟，用于利用電子束缺陷檢測設備查找晶圓上的具有芯片號的芯片上的重復結構器件，并利用電子束缺陷檢測設備對查找出的重復結構器件設定重復結構編號；
第二步驟，用于確定組成單個重復結構器件的最小重復結構，并且對所有重復結構器件設定最小結構序號；
第三步驟，用于利用電子束缺陷檢測設備通過比較芯片數據查找出存在異常的最小重復結構；
第四步驟，用于將查找出異常的最小重復結構所對應的芯片號、重復結構編號和最小結構序號傳遞給聚焦離子束分析設備；
第五步驟，用于通過聚焦離子束分析設備根據芯片號、重復結構編號和最小結構序號來移動晶圓將聚焦離子束位于缺陷電路區域起始位置。
2.根據權利要求1所述的精確定位分析電子束缺陷檢測發現的重復結構缺陷的方法，其特征在于，所述重復結構器件是存儲器電路。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
