[發明專利]一種簡單快速的硅表面鈍化方法在審
| 申請號： | 201410389994.0 | 申請日： | 2014-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN104143590A | 公開（公告）日： | 2014-11-12 |
| 發明（設計）人： | 葉繼春;高平奇;盛江;范科;韓燦 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海一平知識產權代理有限公司 31266 | 代理人： | 馬莉華;崔佳佳 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 簡單 快速 表面 鈍化 方法 | ||
1.一種制備硅表面鈍化層的方法，其特征在于，所述方法包括步驟：
(i)預處理：提供一硅片基材，并對所述硅片基材進行預處理，得到經預處理的硅片基材；
(ii)鈍化處理：將上一步驟的經預處理的硅片基材，用氧化劑水溶液進行鈍化處理，并進行洗滌，從而形成鈍化層；和
(ⅲ)任選的干燥：對所述硅片基材進行干燥，從而干燥的、形成位于所述硅片基材表面的鈍化層。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，用于預處理硅片基材的溶液包括：H2SO4-H2O2溶液，HCl-H2O2-H2O溶液，以及氫氟酸溶液；和/或
所述氧化劑水溶液包括雙氧水、硝酸和/或硝酸鹽、濃硫酸、高氯酸、重絡酸和/或重絡酸鹽、高錳酸和/或高錳酸鹽、過氧化苯甲酸或其組合。
3.如權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟(i)中對所述硅片基材進行預處理依次包括以下步驟：
(i-1)用H2SO4-H2O2溶液浸泡所述基材；
(i-2)用HCl-H2O2-H2O溶液浸泡所述基材；
(i-3)用氫氟酸溶液浸泡所述基材；和
(i-4)用去離子水沖洗所述基材，從而除去基材表面殘留物。
4.一種硅表面鈍化層，其特征在于，所述鈍化層位于硅片基材表面，并且所述鈍化層由SiOx構成或該鈍化層含有SiOx，其中1≤x≤2，并且所述鈍化層中SiOx的含量為99-100wt％，并且所述硅片拋光面的鈍化層的粗糙度為0.8-4nm。
5.如權利要求4所述的鈍化層，其特征在于，該鈍化層厚度范圍為0.1-10nm，較佳地為0.5-5nm；和/或
該鈍化層在硅片拋光面的粗糙度為1.0-3.5nm。
6.如權利要求4所述的鈍化層，其特征在于，該鈍化層與水滴的接觸角θ滿足：0°≤θ≤50°。
7.如權利要求4所述的鈍化層，其特征在于，所述的鈍化層是用權利要求1-3中任一所述的方法制備的。
8.一種復合材料，其特征在于，所述的復合材料含有硅片基材，以及位于所述硅片基材上的如權利要求4所述的硅表面鈍化層。
9.一種制品，其特征在于，所述制品含有如權利要求4所述的硅表面鈍化層或由權利要求8所述的復合材料構成。
10.如權利要求9所述的制品，其特征在于，所述的制品包括太陽能電池，較佳地包括硅/有機雜化太陽能電池。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
