[發明專利]電子部件及方法

有效

• 申請號: 201410389672.6
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN104347618B
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: R·奧特雷姆巴;K·希斯;O·黑伯倫
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華

技術領域

本公開總體上涉及半導體領域，更具體地，涉及電子部件及方法。

背景技術

迄今為止，被用于電力電子應用的晶體管一般已經用硅(Si)半導體材料制造。普遍的用于電力應用的晶體管器件包括Si CoolMOS、硅電力MOSFET、和硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。近年來，已經考慮碳化硅(SiC)電力器件。III族-N半導體器件現在作為吸引人的候選器件出現，諸如氮化鎵(GaN)器件，以運載大電流、支持高電壓并提供非常低的導通電阻和快速切換時間。

發明內容

電子部件包括高壓耗盡型晶體管、低壓增強型晶體管，該低壓增強型晶體管被布置為鄰近高壓耗盡型晶體管并與其隔開，并且，導電構件將高壓耗盡型晶體管的第一電流電極在電學上連接到低壓增強型晶體管的第一電流電極，該導電構件具有片狀形式。

方法包括將焊膏應用到封包的至少一個導電部分上、將高壓耗盡型晶體管應用到焊膏上、將低壓增強型晶體管應用到焊膏上、將焊膏應用到高壓耗盡型晶體管上、將焊膏應用到低壓增強型晶體管上、將導電構件應用到高壓耗盡型晶體管上的焊膏上以及應用到低壓增強型晶體管并形成組件，對該組件進行熱處理并在高壓耗盡型晶體管和低壓增強型晶體管之間用導電構件形成電連接。

本領域技術人員在閱讀下列詳細例示、并且查看附圖時，將認識額外的特點和優點。

附圖說明

圖的要素不需要相對于彼此按比例繪制。相同的附圖標記表示相應的類似部件。各種例示的實施例的特征能夠結合，除非其彼此排斥。實施例在附圖中描述并且在下列描述中詳述。

圖1示出電子部件。

圖2示出電子部件。

圖3示出包括級聯電路的電子部件的示意圖。

圖4示出提供級聯電路的電子部件。

圖5示出提供級聯電路的電子部件的剖視圖。

圖6示出包括半橋電路的電子部件的示意圖。

圖7示出提供半橋電路的電子部件。

圖8示出提供半橋電路的電子部件。

圖9示出提供半橋電路的電子部件的橫截面視圖。

圖10示出提供級聯電路的電子部件。

圖11示出提供級聯電路的電子部件的剖視圖。

圖12示出制造電子部件的方法。

圖13示出用于制造電子部件的方法。

具體實施方式

在下面詳細說明中，參考附圖，其形成本發明的一部分，并且在附圖中通過示出示出可以實踐本發明的具體實施例。在這點上，方向術語，諸如“頂部”、“底部”、“前方”、“后方”、“頭部”、“尾部”等，參考描述的圖形的定向來使用。因為實施例的部件能夠以許多不同取向放置，因而使用方向術語是為了示出而非限制。應當理解，可以利用其他實施例，并且可以做出結構或邏輯變化，而不偏離本發明的保護范圍。不應以限制的角度解釋本發明的下列詳細描述，本發明的保護范圍由權利要求限定。

下面將解釋許多實施例。在這個情形中，相同的構造特征通過圖中相同或類似的附圖標記識別。在本描述的上下文中，“橫向”或“橫向方向”應該被理解為方向或程度，其通常平行于半導體材料或半導體載體的橫向范圍延伸。因此，橫向方向通常平行于這些表面或側面平行。與此相反，術語“豎直”或“豎直方向”被理解為意思是通常垂直于這些表面或側面的方向，因而通常垂直于橫向。因此，豎直方向在半導體材料或半導體載體的厚度方向延伸。

如本說明書中所采用的，術語“耦合”和/或“電學耦合”不是意味著元件必須直接耦合在一起——可以在“耦合”或“電學耦合”元件之間提供居間元件。

耗盡型器件，諸如高壓耗盡型晶體管，其具有負值閾值電壓，意思是其能夠在零柵極電壓下傳導電流。這些器件常態下接通。增強型器件，諸如低壓增強型晶體管，其具有正閾值電壓，意思是其在零柵極電壓下不能傳導電流，常態下關閉。

如本文中所使用的，“高壓器件”，諸如高壓耗盡型晶體管，其為被優化用于高壓切換應用的電子器件。也就是說，當晶體管斷開時，其能夠阻擋高壓，諸如大約300V或更高，大約600V或更高，或大約1200V或更高，并且當晶體管接通時，其具有足夠低的導通電阻(RON)用于使用其的應用，也就是說，當實質上的電流穿過該器件時，其經歷足夠低的傳導損失。高壓器件至少能夠阻擋等于高壓電源的電壓或使用其的電路中的最大電壓。高壓器件能夠阻擋300V、600V、1200V，或者該應用所需要的其他適合的阻擋電壓。