[發明專利]一種低漏電低正向壓降肖特基二極管結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201410389537.1
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN104134703A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 魯艷春;楊忠武;王國峰
• 申請（專利權）人: 上海安微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種肖特基勢壘二極管，其結構包括：以N或P型半導體為基片，在上面形成N-或P-外延層，在外延層上形成勢壘層，再形成金屬陽極，邊緣造型設置帶有濃度梯度的結擴展終端，有源區內注入小劑量的P或N型雜質來提高表面的電阻率，以達到提高勢壘高度的作用，兩個結在同一次光刻版上完成。

2.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述的邊緣造型為帶有濃度梯度緩變型終端，有源區的注入是和終端的注入用一次光刻版制成。

3.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，光刻版在終端區設計不同尺寸和間距的透光區，越靠近有源區的透光區越大；有源區的單位透光區面積低于終端區的最小區域的單位透光面積，保證注入雜質后，終端區形成耗盡層，而有源區仍屬于原雜質類型，只是提高有源區的電阻率。

4.一種肖特基勢壘二極管的制備方法，其步驟包括：在硅外延片先形成氧化層，光刻注入與硅片相反類型雜質，然后形成金屬勢壘和上、下電極金屬。

5.根據權利要求4所述的肖特基勢壘二極管的制備方法，其特征在于，注入劑量低于1E13cm^-2,以保證不形成反型層，同時劑量要高于1E11cm^-2,以保證能形成表面耗盡層，降低表面電場，提高電壓。