[發明專利]一種利用二維金屬層厚度降低石墨烯電極接觸電阻的方法

有效

• 申請號: 201410389035.9
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN104157561B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 周鵬;楊松波;孫清清;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司31200
• 代理人: 陸飛,盛志范

1.?一種利用二維金屬層厚度降低石墨烯電極接觸電阻的方法，其特征在于具體步驟為：?

（1）提供生長有石墨烯的樣品；

（2）利用物理氣相沉積的方法，在石墨烯上淀積0.1-5?nm不同厚度的超薄二維金屬層；

（3）通過原位紫外光電子能譜測量不同厚度的二維金屬層-石墨烯接觸，分析和確定達到勢壘最低的厚度，即為二維金屬層的最優厚度；

（4）利用物理氣相沉積的方法，在石墨烯器件上淀積最優厚度的二維金屬層；

（5）利用物理氣相沉積的方法，淀積20—200?nm厚度的金屬M，形成石墨烯/二維金屬層/金屬M的器件接觸結構。

2.?根據權利要求1所述的利用二維金屬層厚度降低石墨烯電極接觸電阻的方法，其特征在于：所述二維金屬層材料為鎳、鈦、鋁、鈀或鈷。

3.?根據權利要求1所述的利用二維金屬層厚度降低石墨烯電極接觸電阻的方法，其特征在于：所述金屬M是金、銀或白金。