[發(fā)明專利]一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410388980.7 | 申請日: | 2014-08-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104150898A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邢孟江;鄭敏剛;劉永紅;張樹人 | 申請(專利權(quán))人: | 云南銀峰新材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/475 | 分類號(hào): | C04B35/475;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 650000 云南省昆明市經(jīng)開區(qū)*** | 國省代碼: | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低溫 燒結(jié) 壓電 陶瓷材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料,其特征在于:其化學(xué)通式為,
[Bi(1.002-X)Na(1.002-5X)K4X]0.5TiO3-(X-0.002)BaTiO3+Y%Li2CO3+M%Fe2O3+W%ZnO
其中,[Bi(1.002-X)Na(1.002-5X)K4X]0.5TiO3-(X-0.002)BaTiO3為基體陶瓷材料,Y%表示Li2CO3占基體陶瓷材料的重量百分比;M%表示Fe2O3占基體陶瓷材料的重量百分比;W%表示ZnO占基體陶瓷材料的重量百分比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料,其特征在于:所述的組成中0.025≤X≤0.035,0<Y≤2,0<M≤3,0<W≤0.2。
3.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1或2任意一項(xiàng)所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料的方法,其特征在于包括以下步驟:
a)?將Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、BaCO3、TiO2原料粉體按[Bi(1.002-X)Na(1.002-5X)K4X]0.5TiO3‐(X-0.002)BaTiO3的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行配料,濕法球磨使其混合均勻,然后烘干;
b)?將步驟a所得粉料放在坩堝內(nèi)進(jìn)行預(yù)燒,即在850~900℃保溫2~3h,然后粉碎,過篩;
c)?稱取Y%Li2CO3、M%Fe2O3和W%ZnO加入步驟b所得粉料中進(jìn)行細(xì)磨,其中0<Y≤2,0<M≤3,0<W≤0.2;
d)?經(jīng)步驟c球磨一定時(shí)間后加入3~5wt%濃度為10~15wt%的高分子粘結(jié)劑,再球磨1~2小時(shí),混合均勻,造粒,成型,排膠、燒結(jié);
e)?將步驟d所得的陶瓷材料進(jìn)行冷加工,超聲清洗,被銀,極化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料的方法,其特征在于:所述步驟a中的濕法球磨采用無水乙醇做溶劑,氧化鋯球做球磨介質(zhì),并且所述氧化鋯球:無水乙醇為重量比1:1.8~2:0.6~0.8的比例混合,球磨6~8小時(shí),然后在60~80℃烘干。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料的方法,其特征在于:所述步驟c中的細(xì)磨為濕法球磨,采用去離子水做溶劑,氧化鋯球做球磨介質(zhì),按照物料:氧化鋯球:去離子水為重量比1:1.8~2:0.8~1的比例混合,球磨8~10小時(shí)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料的方法,其特征在于:所述步驟d所添加的高分子粘結(jié)劑為聚乙烯醇的水溶液,濃度為10~15wt%。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料的方法,其特征在于:所述步驟d的成型壓力為16~17MPa。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料的方法,其特征在于:所述步驟d的排膠溫度為450~550℃保溫1~2小時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料的方法,其特征在于:所述步驟d的燒結(jié)溫度為880~950℃保溫2~3小時(shí)。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電陶瓷材料的方法,其特征在于:所述步驟e中的極化是在60~80℃、3~4Kv/mm下處理10~30min。
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