[發(fā)明專利]一種曝光單元的排布方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410387776.3
• 申請日: 2014-08-07
• 公開（公告）號: CN105334703B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 欒會倩
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 汪洋,高偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種曝光單元的排布方法。

背景技術(shù)

XPA(Extended Primary Alignment，擴(kuò)展級主對準(zhǔn))對位標(biāo)記是艾斯邁爾(ASML)曝光機(jī)所獨有的一種對位標(biāo)記，其特點是準(zhǔn)確性高，可靠性高。缺點是需要占用晶圓上的有效區(qū)域，從而損失部分有效管芯。另外，如果XPA對位標(biāo)記所在的曝光單元(shot)面積過大，還需要在該曝光單元設(shè)置虛擬圖形，以避免CMP對周圍其他曝光單元有效管芯的影響。此舉無疑會加重編程人員的負(fù)擔(dān)，以及編程錯誤造成產(chǎn)品報廢的風(fēng)險。

目前有兩種解決上述問題的方法：一種是固定XPA對位標(biāo)記的位置，即將XPA對位標(biāo)記總是固定在晶圓的特定位置，其他曝光單元的排布配合XPA對位標(biāo)記，這種做法的缺點是，大部分產(chǎn)品都需要設(shè)置虛擬圖形，編程人員的負(fù)擔(dān)較重。另一種是待曝光單元排布完成后，再選取晶邊面積較小的曝光單元來曝XPA對位標(biāo)記，這種方法的缺點是，有可能沒有合適的曝光單元,一來要設(shè)置虛擬圖形，二來損失有效管芯以上兩種方法絕無法使有效管芯最大化。

因此，為了解決上述技術(shù)問題，有必要提出一種新的曝光單元的排布方法。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

為了克服目前存在的問題，本發(fā)明提供一種曝光單元的排布方法，包括：

步驟一、定義選取對位標(biāo)記曝光單元的標(biāo)準(zhǔn)；

步驟二、以一定步長分別沿與管芯的第一邊平行的第一方向和與第一邊垂直的第二方向移動，直至沿第一方向和第二方向的偏移量距離達(dá)到半個管芯的長度，得到該步長精度下所有可能的有效管芯數(shù)量及曝光單元排布；

步驟三、選取所述步驟二中有效管芯最多或者滿足對有效管芯數(shù)量最低要求的排布，分別將所述偏移量加上整數(shù)個管芯，獲得一系列滿足有效管芯最大化或者滿足對有效管芯數(shù)量最低要求的曝光單元排布；

步驟四、依據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)，對所述步驟三中所獲得的所述一系列曝光單元排布中位于晶圓邊緣的曝光單元進(jìn)行檢查，選取滿足所述標(biāo)準(zhǔn)的多個排布，以得到即滿足有效管芯數(shù)量最大化或者滿足對有效管芯數(shù)量最低要求，又滿足對位標(biāo)記需求的曝光單元排布。

可選地，在所述步驟四之后，還包括在所述步驟四中選取出的所述多個排布中，選取曝光單元數(shù)量最小的排布的步驟。

可選地，定義所述標(biāo)準(zhǔn)的步驟包括：

以晶圓的半徑為有效半徑，晶圓內(nèi)的區(qū)域為有效區(qū)域。

提供五組對位標(biāo)記，分別為第一對位標(biāo)記、第二對位標(biāo)記、第三對位標(biāo)記、第四對位標(biāo)記和第五對位標(biāo)記；

將所述第一對位標(biāo)記在內(nèi)、第二對位標(biāo)記在中間和第三對位標(biāo)記在外沿曝光單元的第一邊緣順序拼接排列，將所述第一對位標(biāo)記在內(nèi)、第四對位標(biāo)記在中間和第五對位標(biāo)記在外，沿曝光單元的第二邊緣順序拼接排列；

定義遠(yuǎn)離所述第一邊緣和所述第二對位標(biāo)記的所述第三對位標(biāo)記的角為A點；

定義位于所述第二對位標(biāo)記和所述第三對位標(biāo)記之間且遠(yuǎn)離所述第一邊緣的所述第二對位標(biāo)記或所述第三對位標(biāo)記的角為B點；

定義位于所述第四對位標(biāo)記和所述第五對位標(biāo)記之間且遠(yuǎn)離所述第二邊緣的所述第四對位標(biāo)記或所述第五對位標(biāo)記的角為C點；

定義遠(yuǎn)離所述第二邊緣且與所述第四對位標(biāo)記不接觸的所述第五對位標(biāo)記的角為D點；

定義所述標(biāo)準(zhǔn)，包括：使對位標(biāo)記所在的曝光單元的位置對于相對略大的有效半徑，滿足所述A、B、C和D四個點中至少兩個點在有效區(qū)域內(nèi)，而對于一個與所述有效半徑同心且比所述有效半徑相對略小的半徑，滿足所述A、B、C和D四個點中至多有3個點在有效區(qū)域內(nèi)。

可選地，所述對位標(biāo)記為XPA對位標(biāo)記。

可選地，所述對位標(biāo)記的形狀為長方形或正方形。

可選地，所述步長為去邊的精度0.1mm。

綜上所述，通過本發(fā)明的方法所獲得的曝光單元排布即滿足有效管芯最大化，可滿足XPA對位標(biāo)記需求，又可避免放置虛擬圖形，同時使曝光單元數(shù)目最少。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1為艾斯邁爾曝光機(jī)XPA對位標(biāo)記的放置方式示意圖；