[發明專利]半導體裝置和用于制造該半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201410385691.1
• 申請日: 2014-08-07
• 公開（公告）號: CN104347720A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: O.布蘭克;M.珀爾茲爾;M.H.菲勒邁爾;A.伍德
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜荔南;胡莉莉

1.半導體裝置（10），具有：

具有第一表面（14）的半導體本體（12），

第一溝槽（28）中的IGFET（22）的具有多晶硅（32）的柵電極結構（20），所述第一溝槽從所述第一表面（14）延伸到所述半導體本體（12）中，以及

第二溝槽（30）中的與IGFET（22）的柵電極結構（20）不同并且具有多晶硅（32）的半導體元件（26），所述第二溝槽從所述第一表面（14）延伸到所述半導體本體（12）中，

其中IGFET（22）和與所述IGFET（22）不同的半導體元件（26）的多晶硅（32）終結于與所述半導體本體（12）的第一表面（14）鄰接的絕緣層（36）的上側（34）之下。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置（10），其中所述第一溝槽（28）通過有效單元區域的邊緣（22a）延伸到IGFET（22）的邊緣終止結構中。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置（10），其中半導體裝置（10）的任何多晶硅（32）終結于與所述半導體本體（12）的第一表面（14）鄰接的絕緣層（36）的上側（34）之下。

4.根據權利要求1到3之一所述的半導體裝置（10），其中所述IGFET（22）和與所述IGFET（22）不同的半導體元件（26）的多晶硅（32）最大直至達到所述半導體本體（12）的第一表面（14）。

5.根據上述權利要求之一所述的半導體裝置（10），其中所述半導體元件（26）包括二極管、電阻、電容器、傳感器結構、Zap結構或IGFET（22）的邊緣終止結構。

6.根據上述權利要求之一所述的半導體裝置（10），其中所述柵電極結構（20）包括柵電極（62）以及柵電極接觸區域（64），所述柵電極接觸區域在與所述半導體本體（12）的第一表面（14）鄰接的絕緣層（36）的上側（34）之下與導電層（52）接觸。

7.根據上述權利要求之一所述的半導體裝置（10），其中所述第一溝槽（28）中的IGFET（22）的柵電極結構（20）的多晶硅（32）具有平坦的上側（44）。

8.根據上述權利要求之一所述的半導體裝置（10），其中所述第一溝槽（28）中的和所述第二溝槽（30）中的多晶硅（32）分別具有平坦的上側（44、46），所述上側的水平的延伸相互最大偏移100nm。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置（10），其中所述平坦的上側（44、46）位于共同的平面中。

10.根據上述權利要求之一所述的半導體裝置（10），其中所述第一溝槽（28）和所述第二溝槽（30）具有相互最大偏差250nm的深度。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置（10），其中所述第一溝槽（28）和所述第二溝槽（30）具有不同的寬度。

12.根據上述權利要求之一所述的半導體裝置（10），此外具有電介質（40），所述電介質覆蓋所述第一溝槽（28）和所述第二溝槽（30）的壁（42），以便將所述第一溝槽（28）和所述第二溝槽（30）中的多晶硅（32）與所述半導體本體（12）電絕緣。

13.用于制造半導體裝置（10）中的IGFET（22）的柵電極結構（20）和與所述IGFET（22）的柵電極結構（20）不同的半導體元件（26）的方法，具有以下步驟：

在半導體本體（12）中構造用于所述IGFET（22）的柵電極結構（20）的第一溝槽（28）和用于所述半導體元件（26）的第二溝槽（30），

將多晶硅（32）涂布在所述半導體本體（12）的表面上，直至所述第一溝槽（28）和所述第二溝槽（30）被填充，

執行化學-機械拋光步驟，以便去除所述第一溝槽（28）和所述第二溝槽（30）之上存在的多晶硅，使得所述第一溝槽（28）中的柵電極結構（20）的多晶硅（32）與所述第二溝槽（30）中的半導體元件（26）的多晶硅（32）相互分離。

14.根據權利要求13所述的方法，其中用于所述IGFET（22）的柵電極結構（20）的所述第一溝槽（28）被制造為，使得所述第一溝槽通過有效單元區域的邊緣（22a）延伸到IGFET（22）的邊緣終止結構中。