[發明專利]存儲裝置及其控制方法

有效

• 申請號: 201410385634.3
• 申請日: 2014-08-07
• 公開（公告）號: CN105336355B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 林立偉;蔡宗寰;林家鴻;廖培享
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C11/56
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 賈磊

技術領域

本發明有關于一種存儲裝置及其控制方法，特別是有關于一種電阻式存儲裝置及其控制方法。

背景技術

目前新型易失性存儲器包括，鐵電存儲器、相變化存儲器、磁性存儲器及電阻式存儲器。由于電阻式存儲器具有結構簡單、成本低、速度快與低功耗等優點，故大幅被使用。在電阻式存儲器中，控制一特殊金屬導電層的跨壓，用以在金屬導電層中形成導電絲。然而，現有技術所產生的導電絲太粗并且數量少，因此，在后續的操作中，不易打斷導電絲。再者，現有技術所產生的導電絲數量較少，故不易降低金屬導電層的阻抗。

發明內容

本發明要解決的技術問題是，提供一種存儲裝置及其控制方法，大幅縮短格式化或初始化重置操作的時間，并且改善格式化或初始化重置操作的效率。

本發明提供一種存儲裝置，包括一控制單元以及至少一存儲單元。控制單元控制一字線、一位線以及一源極線的電平。存儲單元包括一晶體管以及一可變電阻。晶體管的柵極耦接字線。可變電阻耦接于晶體管的漏極與位線之間。晶體管的源極耦接源極線。在一預設期間，控制單元提供多個脈沖予字線、位線以及源極線中的一第一特定線。預設期間至少大于1微秒(microsecond)。

本發明另提供一種控制方法，適用于一存儲裝置。存儲裝置具有至少一存儲單元。存儲單元具有一晶體管以及一可變電阻。晶體管的柵極耦接一字線。可變電阻耦接于晶體管的漏極與一位線之間。晶體管的源極耦接一源極線。本發明的控制方法包括，在一預設期間，提供多個脈沖予字線、位線以及源極線中的一第一特定線；以及提供一第一電平及一第二電平予字線、位線以及源極線中的一第二特定線以及一第三特定線。預設期間至少大于1微秒。

綜上所述技術方案，本發明能夠使得金屬導電層中形成細而多的導電絲，在對存儲單元的操作過程中易于打斷導電絲并且能夠降低金屬導電層的阻抗，大幅縮短格式化或初始化重置操作的時間，并且改善格式化或初始化重置操作的效率。

為讓本發明的特征和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1為本發明的存儲裝置的示意圖。

圖2A～圖2E為可變電阻的阻態變化示意圖。

圖3A及圖3B為本發明的格式化操作的可能實施例。

圖4A及圖4B為本發明的初始化重置操作的可能實施例。

圖5A～圖5I為脈沖的可能形狀及電平示意圖。

圖6A～圖6C為本發明的控制方法的可能流程示意圖。

圖中符號說明：

100：存儲裝置；

110：控制單元；

120：陣列單元；

WL₁～WL_n：字線；

BL₁～BL_m：位線；

SL₁～SL_m：源極線；

112：列解碼器；

114：行解碼器；

116：存取控制器；

AD₁、AD₂：地址信息；

DATA_I、DATA_O：數據；

M₁₁～M_mn：存儲單元；

T₁₁：晶體管；

R₁₁：可變電阻；

210：上電極；

220：金屬氧化物；

230：下電極；

240：導電絲；

VL₁₁～VL₁₆、VL₂₁～VL₂₆、VL₃₁～VL₃₄、VL₄₁～VL₄₄、V₁～V₄：電平；

210、220、230、240、250、410、420：期間；

PS₁～PS₉：脈沖；

S612、S614、S616、S622、S624、S626、S628：步驟。

具體實施方式