[發明專利]一種用于ESD防護的具有強抗閂鎖能力的SCR_PNP結構

在審

• 申請號: 201410384998.X
• 申請日: 2014-08-07
• 公開（公告）號: CN104124243A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 楊變霞;劉洋;吳欣昱
• 申請（專利權）人: 楊變霞;劉洋;吳欣昱
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06;H01L23/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于ESD防護設計的具有強抗閂鎖能力的SCR_PNP結構，包括：P型襯底、襯底上絕緣層區、N外延層區、N外延層上的P型阱區、N外延層上的N型阱區、場氧化層區、多晶硅柵區、薄氧化層區、用于隔離高壓器件與低壓器件的隔離區、N型重摻雜區、P型重摻雜區。絕緣層區位于P型襯底頂部，N型外延區位于絕緣層區的頂部，第一P型阱區、第二P型阱區和第一N型阱區位于N型外延區的頂部，并且第一P型阱區在第二P型阱區和第一N型阱區之間，第一P型阱區和第二P型阱區之間有絕緣層。第一N型重摻雜區和第一P型重摻雜區位于第一P型阱區的頂部，第一P型重摻雜區位于第一N型重摻雜區和第一N型阱區之間，第一P型重摻雜區和第一N型阱區之間表面有部分第一多晶硅區和場氧化層區。第二N型重摻雜區和第三N型重摻雜區位于第二P型阱區的頂部，第二N型重摻雜區和第三N型重摻雜區之間有第二多晶硅區。第二P型重摻雜區位于N型阱區的頂部，第二P型重摻雜區作為陽極；第一N型重摻雜區和第三N型重摻雜區以及第一多晶硅區通過金屬導線連載一起作為器件的陰極，第二N型重摻雜區和第一P型重摻雜區通過導線連接；第二多晶硅區通過導線連接到低壓電源端。應用時，器件陽極接至需要被保護的芯片的引腳端口，器件陰極接至地電位。

2.一種具有強抗閂鎖能力的可控LIGBT?ESD保護器件，是在權利要求1的基礎上，將P阱接觸P+條變成P+和N+相間分布。其它相同。

3.一種具有強抗閂鎖能力的可控LIGBT?ESD保護器件，是在權利要求1的基礎上，將P阱接觸P+條變成P+和N+相間分布，陰極N+條變成N+和P+相間分布。其它相同。