[發明專利]抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統

有效

• 申請號: 201410383881.X
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN104134929A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 胡小波;李剛
• 申請（專利權）人: 鞍山創鑫激光技術有限公司
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 肖平安

1.抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：包括多路激光輸出單元、光纖合束器、光纖輸出頭；

所述每路激光輸出單元包括半導體激光器、水冷多模光纖在線隔離器，所述半導體激光器的輸出端通過光纖與所述水冷多模光纖在線隔離器的輸入端連接，使所述半導體激光器通過光纖將激光束傳輸給所述水冷多模光纖在線隔離器；

所述每路激光輸出單元的水冷多模光纖在線隔離器的輸出端分別通過光纖與所述光纖合束器的輸入端連接，使所述每路激光輸出單元的水冷多模光纖在線隔離器分別通過光纖將激光束傳輸給所述光纖合束器；所述光纖合束器的輸出端通過光纖與所述光纖輸出頭連接，使所述光纖合束器通過光纖將激光束傳輸給所述光纖輸出頭。

2.根據權利要求1所述的抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：所述半導體激光器為808、880、915、940、960或976納米和8XX,9XX納米兩個系列的半導體激光器。

3.根據權利要求1所述的抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：所述光纖輸出頭為一種萬瓦級大功率光纖端帽的光纖輸出頭。

4.根據權利要求1至3任一項所述的抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：還包括回光處理器，所述光纖合束器的回光輸出端通過光纖與所述回光處理器連接。

5.抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：包括多路二級激光輸出單元、二級光纖合束器、光纖輸出頭；所述每路二級激光輸出單元包括多路一級激光輸出單元、一級光纖合束器；

所述每路一級激光輸出單元包括半導體激光器、水冷多模光纖在線隔離器，所述半導體激光器的輸出端通過光纖與所述水冷多模光纖在線隔離器的輸入端連接，使所述半導體激光器通過光纖將激光束傳輸給所述水冷多模光纖在線隔離器；所述每路一級激光輸出單元的水冷多模光纖在線隔離器的輸出端分別通過光纖與所述一級光纖合束器的輸入端連接，使所述每路一級激光輸出單元的水冷多模光纖在線隔離器分別通過光纖將激光束傳輸給所述一級光纖合束器；

所述每路二級激光輸出單元的一級光纖合束器的輸出端分別通過光纖與所述二級光纖合束器的輸入端連接，使所述每路二級激光輸出單元的一級光纖合束器分別通過光纖將激光束傳輸給所述二級光纖合束器；所述二級光纖合束器的輸出端通過光纖與所述光纖輸出頭連接，使所述二級光纖合束器通過光纖將激光束傳輸給所述光纖輸出頭。

6.根據權利要求5所述的抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：所述半導體激光器為808、880、915、940、960或976納米和8XX,9XX納米兩個系列的半導體激光器。

7.根據權利要求5所述的抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：所述光纖輸出頭為一種萬瓦級大功率光纖端帽的光纖輸出頭。

8.根據權利要求5至7任一項所述的抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：所述每路二級激光輸出單元還包括一級回光處理器、一級功率監控器，所述一級光纖合束器的回光輸出端通過光纖與所述一級回光處理器連接，所述一級功率監控器設置于所述一級光纖合束器的輸出端與所述二級光纖合束器的輸入端之間的光纖。

9.根據權利要求8所述的抗高反的高功率光纖耦合半導體激光器系統，其特征在于：還包括二級回光處理器、二級功率監控器，所述二級光纖合束器的回光輸出端通過光纖與所述二級回光處理器連接，所述二級功率監控器設置于所述二級光纖合束器的輸出端與所述光纖輸出頭之間的光纖。