[發明專利]用于電子組件的制造方法與制造設備

有效

• 申請號: 201410383653.2
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN104377139B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 洪淑慧
• 申請（專利權）人: 印鋐科技有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/67
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司35203
• 代理人: 朱凌

1.一種電子組件的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

提供一基板，具有一第一表面；

提供一電子組件，該電子組件的至少一面具有導電塊；

使位于該電子組件的至少一面的該導電塊固定于該基板的該第一表面以形成一整體組件，其中該導電塊之間的間距小于100 微米，該電子組件與該基板之間的縫隙小于50 微米；

從該電子組件的多個側邊施加一毛細型底部填充物(capillary underfill)，使該填充物沿著該電子組件與該基板之間的該縫隙爬行并填充該縫隙，以形成對該導電塊的保護；

將該整體組件置入一處理腔室中；

使該處理腔室內的溫度上升至一第一預定溫度；

預調整該處理腔室內的壓力；

使該處理腔室內的壓力上升至大于1 大氣壓力的一第二預定壓力，并維持該第二預定壓力經過一預定時間；及

將該處理腔室內的溫度調節至一第二預定溫度，

其中，預調整該處理腔室內的壓力的該步驟包含下列步驟：

(a) 使該處理腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第一預定壓力，并維持該第一預定壓力經過一預定時間；

(b) 使該處理腔室內的壓力從該第一預定壓力上升至一第一返回壓力，其中該第一返回壓力≦ 1 大氣壓力；

(c) 使該處理腔室內的壓力下降至為真空壓力的一第三預定壓力，并維持該第三預定壓力經過一預定時間；及

(d) 使該處理腔室內的壓力從該第三預定壓力上升至一第二返回壓力，其中該第二返回壓力≦ 1 大氣壓力，或者該第二返回壓力≧ 1 大氣壓力，

其中，執行步驟(a) 至步驟(d) 一次或多次，該第二預定壓力大于該第一返回壓力，該第二預定壓力大于該第二返回壓力，該第一預定壓力小于或等于或大于該第三預定壓力，以及該第一返回壓力小于或等于或大于該第二返回壓力。

2.根據權利要求1 所述的電子組件的制造方法，其特征在于，該步驟(a) 包含：以階段性方式使該處理腔室內的壓力下降至該第一預定壓力。

3.根據權利要求1 所述的電子組件的制造方法，其特征在于，該步驟(c) 包含：以階段性方式使該處理腔室內的壓力下降至為真空壓力的該第三預定壓力。

4.根據權利要求1 所述的電子組件的制造方法，其特征在于，該步驟(b) 包含：以階段

性方式使該處理腔室內的壓力從該第一預定壓力上升至該第一返回壓力。

5.根據權利要求1 所述的電子組件的制造方法，其特征在于，該步驟(d) 包含：以階段

性方式使該處理腔室內的壓力從該第三預定壓力上升至該第二返回壓力。

6.根據權利要求1 所述的電子組件的制造方法，其特征在于，以階段性方式使該處理腔室內的壓力上升至該第二預定壓力。