[發(fā)明專利]側(cè)面可浸潤封裝單元及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410383404.3
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN105374785B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發(fā)明（設計）人: 康成國
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種封裝單元，其包含：

底座；

引腳，所述引腳鄰近所述底座，且所述引腳包含基部及延伸部，所述延伸部從所述基部的遠離所述底座的側(cè)面延伸，其中所述延伸部的上表面高于所述基部的上表面；

元件，所述元件位于所述底座的上表面；

焊線，所述焊線連接所述元件及所述引腳；

封裝體，包封所述元件、所述焊線、所述底座及所述引腳，其中所述封裝體的側(cè)面與所述延伸部的側(cè)面齊平，且暴露所述底座的下表面、所述基部的下表面及所述基部的遠離所述底座的側(cè)面；以及

金屬層，至少位于經(jīng)暴露的所述底座的下表面、所述基部的下表面及所述基部的遠離所述底座的側(cè)面；

其中所述延伸部包括延伸主部及延伸端部，所述延伸端部從所述延伸主部的遠離所述底座的側(cè)面延伸，所述延伸端部通過所述延伸主部與所述基部相連接，所述延伸端部的上表面及所述延伸主部的上表面高于所述基部的上表面，所述延伸端部的下表面高于所述延伸主部的下表面，所述延伸主部的下表面高于所述基部的下表面，且所述延伸端部的下表面高于所述基部的上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝單元，其中所述金屬層進一步位于所述延伸主部的下表面及所述延伸主部與所述延伸端部的下表面相鄰接的側(cè)面和所述延伸端部的下表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝單元，其中所述延伸主部的上表面與所述延伸端部的上表面齊平。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝單元，其中所述金屬層包含錫或錫合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝單元，其中所述延伸主部的上表面為圓弧形。

6.一種封裝單元的制造方法，其包含：

提供底座及引腳，所述引腳鄰近于所述底座；

將所述引腳的一部分由所述引腳的上表面突出以形成延伸部，并且于所述引腳的下表面形成第一凹口，所述引腳的其余部分為基部，其中所述延伸部的上表面高于所述基部的上表面；

設置元件于所述底座上；

以焊線連接所述元件與所述引腳；

形成封裝體包封所述元件、所述焊線、所述底座、所述基部及所述延伸部，其中所述封裝體暴露所述底座的下表面、所述基部的下表面、所述延伸部的下表面及所述第一凹口內(nèi)的所述基部的側(cè)面；

使用第一切割工具從所述延伸部的下表面部分地切割所述延伸部；

形成金屬層于下列表面上：所述基部的下表面及所述第一凹口內(nèi)的所述基部的側(cè)面；以及

使用第二切割工具切穿所述延伸部及所述封裝體，以得到封裝單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中使用所述第一切割工具以在所述延伸部的底部形成第二凹口，其中所述第二凹口的寬度小于所述第一凹口的寬度，且所述第二凹口內(nèi)的所述延伸部的下表面高于所述基部的上表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其進一步形成所述金屬層于所述延伸部的下表面以及所述第二凹口內(nèi)的所述延伸部的側(cè)面及下表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一切割工具比所述第二切割工具寬。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中使用沖壓方式以將所述引腳的一部分由所述引腳的上表面突出以形成延伸部，并且于所述引腳的下表面形成第一凹口。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述延伸部的上表面為圓弧形。