[發明專利]一種干法清洗多晶硅還原爐的方法

有效

• 申請號: 201410382395.6
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN104259160B
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 王志高;李東升
• 申請（專利權）人: 上海正帆科技有限公司
• 主分類號: B08B9/08
• 分類號: B08B9/08;B08B9/093
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司31001
• 代理人: 翁若瑩

1.一種干法清洗多晶硅還原爐的方法，其特征在于：將多晶硅還原爐(1)與等離子體發生器(2)相連，使等離子體發生器(2)產生的等離子體在設定的溫度和壓強條件下與多晶硅還原爐(1)鐘罩內壁沉積的硅薄膜反應，同時監測反應產物的成分變化，并通過吹掃抽離反應產生的氣體產物，達到清洗多晶硅還原爐的目的；具體包含如下步驟：

步驟一：排出多晶硅還原爐(1)內的所有殘余氣體；

步驟二：以氣體氟化物作為清洗氣體，使其在等離子體發生器(2)中形成等離子體；

步驟三：使等離子體進入多晶硅還原爐(1)鐘罩內，并與沉積在多晶硅還原爐(1)鐘罩內壁上的硅薄膜發生化學反應，反應產生的氣體產物中含有SiF₃、SiF₄；

步驟四：采用氣體成分監測設備(3)對SiF₃的量進行監測，從而監測多晶硅還原爐(1)鐘罩內壁沉積硅的反應狀況；

步驟五：當多晶硅還原爐鐘罩內壁沉積的硅被反應完全后，即混合氣體中SiF₃的含量接近零值且趨于平穩，抽出多晶硅還原爐鐘罩中的氣體，然后通入N₂對多晶硅還原爐鐘罩進行吹掃，再次將多晶硅還原爐鐘罩中的氣體抽離，完成多晶硅還原爐鐘罩的清洗。

2.如權利要求1所述的干法清洗多晶硅還原爐的方法，其特征在于：所述步驟二中氣體氟化物包含NF₃、SF₆、CF₄、ClF₃中的一種或者幾種。

3.如權利要求1所述的干法清洗多晶硅還原爐的方法，其特征在于：所述等離子發生器(2)的功率為80～150kW。

4.如權利要求1所述的干法清洗多晶硅還原爐的方法，其特征在于：所述步驟二中清洗氣體的流量為80～130slm。

5.如權利要求1所述的干法清洗多晶硅還原爐的方法，其特征在于：所述步驟三中等離子體與硅薄膜反應的溫度為400～700℃，所述等離子體與硅薄膜反應的壓強為10～100Torr。

6.如權利要求1所述的干法清洗多晶硅還原爐的方法，其特征在于：所述多晶硅還原爐(1)鐘罩內壁沉積的硅薄膜包括單晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜中的一種或者幾種任意組合。

7.如權利要求1所述的一種干法清洗多晶硅還原爐的方法，其特征在于：所述等離子體發生器(2)設于多晶硅還原爐(1)外，形成遠程等離子體。