[發(fā)明專利]一種利用熱分解特性獲得自支撐氮化鎵基板的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410382392.2 | 申請日： | 2014-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN104178807A | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金施耐;許楨;金東植 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/22 | 分類號： | C30B25/22;C30B29/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若瑩 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 利用 分解 特性 獲得 支撐 氮化 鎵基板 方法 | ||
1.一種利用熱分解特性獲得自支撐氮化鎵基板的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1)：在藍寶石基板(1)上依次生長第一緩沖層(3)、第二緩沖層(4)；
步驟2)：在第二緩沖層(4)上高溫生長氮化鎵厚膜層(2)；
步驟3)：在氮化鎵厚膜層(2)生長時，第一緩沖層(3)高溫?zé)岱纸鉃殒?Ga)和氮氣(N)，使氮化鎵厚膜層(2)與藍寶石基板(1)之間產(chǎn)生空隙；
步驟4)：氮化鎵厚膜層(2)生長完后，在冷卻過程中氮化鎵厚膜層(2)與藍寶石基板(1)逐漸分離，得到的氮化鎵基板。
2.如權(quán)利要求1所述的利用熱分解特性獲得自支撐氮化鎵基板的方法，其特征在于，所述步驟1)中第一緩沖層(3)是通過HVPE生長出來的氮化鎵，它是在600～800℃溫度中生長的，其生長厚度為1～3μm，V/III比為10～100。
3.如權(quán)利要求1所述的利用熱分解特性獲得自支撐氮化鎵基板的方法，其特征在于，所述步驟1)中第二緩沖層(4)是在第一緩沖層(3)生長完成后升溫至900℃生長的，其厚度為50～100μm，V/III比為10～1000。
4.如權(quán)利要求1所述的利用熱分解特性獲得自支撐氮化鎵基板的方法，其特征在于，所述步驟2)與步驟1)之間，第二緩沖層(4)還升溫至1000℃經(jīng)熱處理。
5.如權(quán)利要求4所述的利用熱分解特性獲得自支撐氮化鎵基板的方法，其特征在于，所述步驟2)中氮化鎵厚膜層(2)是在第二緩沖層(4)經(jīng)熱處理后繼續(xù)升溫至1200℃生長的，其厚度為300μm以上，V/III比為10～50。
6.如權(quán)利要求1所述的利用熱分解特性獲得自支撐氮化鎵基板的方法，其特征在于，所述第一緩沖層在溫度達到900℃以上時熱分解為液體鎵(Ga)和氮氣(N)。
7.如權(quán)利要求1所述的利用熱分解特性獲得自支撐氮化鎵基板的方法，其特征在于，所述氮化鎵可用氮化鋁或氮化銦替代，制備氮化鋁或氮化銦厚膜層。
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