[發(fā)明專(zhuān)利]硅晶片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410381875.0
• 申請(qǐng)日: 2014-08-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104347395B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 荒木浩司;青木龍彥;須藤治生;仙田剛士
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 環(huán)球晶圓日本股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/322
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/322;C30B29/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 舒艷君,李洋

1.一種硅晶片的制造方法，其特征在于，具備以下工序：對(duì)從利用切克勞斯基法培養(yǎng)的硅單晶錠切片得到的硅晶片，在含氧氣氛中，使最高到達(dá)溫度為1300～1380℃的范圍內(nèi)的溫度，使所述最高到達(dá)溫度下的保持時(shí)間為5～60秒，實(shí)施迅速升降溫?zé)崽幚淼墓ば颍缓统?shí)施了所述熱處理的晶片的表面的工序，

使所述除去工序中的晶片的器件形成面的除去量為利用下述式(1)～(3)計(jì)算出的X的值以上，

X＝a+b…(1)

a＝(0.0031×最高到達(dá)溫度-3.1)×6.4×降溫速度^-0.4…(2)

b＝a/(氧固溶限/基板氧濃度)…(3)，

其中，X、a、b的單位為μm，最高到達(dá)溫度的單位為℃，降溫速度的單位為℃/秒，氧固溶限的單位為atoms/cm³，基板氧濃度的單位為atoms/cm³。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶片的制造方法，其特征在于，

在所述除去工序中，使晶片側(cè)周面的除去量為a以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其特征在于，

在所述除去工序中，晶片的傾斜表面以露出氧析出核的方式除去。

4.一種硅晶片，是利用權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的硅晶片，該硅晶片的特征在于，

至少所述晶片的器件形成面?zhèn)鹊谋韺訛椴淮嬖贑OP和氧析出核的區(qū)域，且在所述晶片的周邊部具有氧析出核層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅晶片，其特征在于，

距所述晶片的整個(gè)表面深度20μm以上的主體部為不存在COP和氧析出核的區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅晶片，其特征在于，

在距所述晶片的整個(gè)表面深度20μm以上的主體部和周邊部均勻地具有氧析出核層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅晶片，其特征在于，

將所述晶片在氬氣氛中、1000℃下保持4小時(shí)后的所述主體部和所述周邊部的氧析出物密度為5.0×10⁸～9.0×10⁹個(gè)/cm³,氧析出物尺寸為30～100nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求4～7中任一項(xiàng)所述的硅晶片，其特征在于，

在所述晶片的傾斜表面露出氧析出核層。

9.根據(jù)權(quán)利要求4～7中任一項(xiàng)所述的硅晶片，其特征在于，

在所述晶片的器件形成面背面的表層具有氧析出核層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅晶片，其特征在于，

在所述晶片的器件形成面背面的表層具有氧析出核層。