[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的外延片及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410381826.7 | 申請(qǐng)日： | 2014-08-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104157760A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬海慶;張宇;徐迪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京愛普納杰專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自剛 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，包括：
摻雜Si的GaN層；
組分恒定發(fā)光層，位于所述摻雜Si的GaN層之上；
組分漸變發(fā)光層，位于所述組分恒定發(fā)光層之上；以及
P型AlGaN層，位于所述組分漸變發(fā)光層之上；
其中，所述組分漸變發(fā)光層包括GaN層和摻雜In的InGaN層，每個(gè)周期的所述InGaN層的In摻雜濃度不同。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，所述InGaN層是通過在低溫700～750℃生長摻雜In的1.5～3.5nm的InxGa(1-x)N層得到，所述InxGa(1-x)N層的周期數(shù)為3～6，x＝0.1～0.25。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，所述GaN層是通過在高溫800～850℃生長6～12nm的GaN層得到，所述GaN層的周期數(shù)為3～6，x＝0.1～0.25。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，在所述InGaN層和/或所述GaN層中摻雜Mg、In或Al。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，摻雜濃度為1E+17atom/cm^3。
6.一種發(fā)光二極管的外延片制作方法，其特征在于，包括：
生長摻雜Si的GaN層；
在所述摻雜Si的GaN層之上生長組分恒定發(fā)光層；
在所述組分恒定發(fā)光層之上生長組分漸變發(fā)光層；以及
在所述組分漸變發(fā)光層之上生長P型AlGaN層；
其中，所述組分漸變發(fā)光層包括GaN層和摻雜In的InGaN層，每個(gè)周期的所述InGaN層的In摻雜濃度不同。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的外延片制作方法，其特征在于，通過在低溫700～750℃生長摻雜In的1.5～3.5nm的InxGa(1-x)N層得到所述InGaN層，其中所述InxGa(1-x)N層的周期數(shù)為3～6，x＝0.1～0.25。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的外延片制作方法，其特征在于，通過在高溫800～850℃生長6～12nm的GaN層得到所述GaN層，其中所述GaN層的周期數(shù)為3～6，x＝0.1～0.25。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的外延片制作方法，其特征在于，在所述InGaN層和/或所述GaN層中摻雜Mg、In或Al。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的外延片制作方法，其特征在于，摻雜濃度為1E+17atom/cm^3。
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