[發(fā)明專利]具有增強(qiáng)的線性度的分離偏置射頻功率放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410381607.9
• 申請(qǐng)日: 2014-08-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104348424B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓海林;埃齊奧·佩龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: Qorvo美國(guó)公司
• 主分類號(hào): H03F1/32
• 分類號(hào): H03F1/32;H03F3/20;H03F3/189
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 朱勝;陳煒

1.一種功率放大器，包括：

第一晶體管，其尺寸被設(shè)定成使其以第一電流密度工作；

第二晶體管，其尺寸被設(shè)定成使其以第二電流密度工作，所述第一晶體管與所述第二晶體管耦合；

第一功率單元，包括與所述第一晶體管耦合的第三晶體管，所述第一晶體管被配置成對(duì)所述第一功率單元進(jìn)行偏置；以及

第二功率單元，包括與所述第二晶體管耦合的多個(gè)晶體管，所述第二晶體管被配置成對(duì)所述第二功率單元進(jìn)行偏置；

其中，所述第三晶體管包括第一集電極，以及所述多個(gè)晶體管中的各個(gè)晶體管包括各自的集電極，并且所述第一集電極與所述各自的集電極耦合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一晶體管是雙極晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其中，所述第一晶體管包括第一基極；以及

其中，所述第二晶體管是包括與所述第一基極耦合的第二基極的雙極晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率放大器，其中，所述第一晶體管包括第一柵極；以及

其中，所述第二晶體管是包括與所述第一柵極耦合的第二柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其中，所述多個(gè)晶體管包括十五個(gè)晶體管。

7.一種用于構(gòu)造功率放大器的方法，包括：

將第一晶體管的輸入耦合到電源，所述第一晶體管的尺寸是基于第一電流密度來(lái)設(shè)定的；

將第二晶體管的輸入耦合到所述電源，所述第二晶體管的尺寸是基于第二電流密度來(lái)設(shè)定的；

將所述第一晶體管的第一端子與所述第二晶體管的第一端子耦合；

將包括第三晶體管的第一功率單元的輸入與所述第一晶體管的第二端子耦合；以及

將包括多個(gè)晶體管的第二功率單元的輸入與所述第二晶體管的第二端子耦合；

其中，所述第三晶體管包括第一集電極，以及所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)晶體管分別包括各自的集電極，并且所述方法還包括將所述第一集電極與所述各自的集電極耦合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一晶體管是雙極晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一晶體管的輸入是第一基極；

其中，所述第二晶體管是雙極晶體管；以及

其中，所述第二晶體管的輸入是第二基極。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一晶體管的輸入是第一柵極；

其中，所述第二晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及

其中，所述第二晶體管的輸入是第二柵極。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述多個(gè)晶體管包括十五個(gè)晶體管。

13.一種用于進(jìn)行功率放大的系統(tǒng)，包括：

電源；以及

功率放大器，與所述電源耦合，所述功率放大器包括：

第一晶體管，其尺寸被設(shè)定成使其以第一電流密度工作，所述第一晶體管與所述電源耦合；

第二晶體管，其尺寸被設(shè)定成使其以第二電流密度工作，所述第二晶體管與所述電源耦合；

第一功率單元，包括與所述第一晶體管耦合的第三晶體管；以及

第二功率單元，包括與所述第二晶體管耦合的多個(gè)晶體管；

其中，所述第三晶體管包括第一集電極，以及所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)晶體管分別包括各自的集電極，并且所述第一集電極與所述各自的集電極耦合。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述第一晶體管是雙極晶體管。