[發明專利]超聲換能器及其分割方法和分割器件的方法有效
| 申請號: | 201410379432.8 | 申請日: | 2014-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN104415902B | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 鄭秉吉;洪碩佑 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | B06B1/06 | 分類號: | B06B1/06;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超聲 換能器 及其 分割 方法 器件 | ||
1.一種電容式微機械加工的超聲換能器的分割方法,所述方法包括:
在器件晶片的區域中形成第一溝槽,所述器件晶片包括在其上的多個超聲換能器結構;
在形成所述第一溝槽之后,通過接合電極墊晶片和所述器件晶片而形成具有多個超聲換能器的超聲換能器晶片;
在所述器件晶片中形成限定與所述多個超聲換能器結構的每個相應的多個元件的第二溝槽,其中形成所述第一溝槽與形成所述第二溝槽同時執行;以及
通過在所述第一溝槽處切割所述多個超聲換能器結構和在所述第一溝槽下面的所述電極墊晶片,將所述超聲換能器晶片切割成塊以分割所述多個超聲換能器的每個,從而將所述器件晶片形成為多個器件襯底,將所述電極墊晶片形成為多個電極墊襯底,并形成在所述器件襯底的側面突出的第一突起單元以及在與所述第一突起單元相同的側面從所述電極墊襯底突出的第二突起單元,
其中所述第一溝槽的寬度大于所述第二溝槽的寬度。
2.如權利要求1所述的方法,其中形成所述第一溝槽包括使用干蝕刻方法在所述器件晶片中形成通孔。
3.如權利要求1所述的方法,其中使用鋸條執行所述超聲換能器晶片的切割成塊,其中所述第一溝槽的寬度大于所述鋸條的切割寬度。
4.如權利要求3所述的方法,還包括:在所述電極墊晶片與所述器件晶片接合之前,在所述電極墊晶片中與所述第一溝槽相應地形成第三溝槽。
5.如權利要求4所述的方法,其中所述第三溝槽具有大于所述鋸條的切割寬度的寬度。
6.如權利要求5所述的方法,其中接合所述電極墊晶片與所述器件晶片包括將所述第一溝槽與所述第三溝槽對準。
7.如權利要求4所述的方法,其中形成所述第三溝槽包括形成所述第三溝槽以具有在所述電極墊晶片的厚度的1/2至3/4的范圍內的深度。
8.一種電容式微機械加工的超聲換能器的分割方法,所述方法包括:
在器件晶片的區域中形成第一溝槽,所述器件晶片包括在其上的多個超聲換能器結構;
通過接合電極墊晶片和所述器件晶片而形成具有多個超聲換能器的超聲換能器晶片;
在接合所述電極墊晶片與所述器件晶片之前,在所述電極墊晶片中與所述第一溝槽相應地形成第三溝槽;以及
通過在所述第一溝槽處切割所述多個超聲換能器結構和在所述第一溝槽下面的所述電極墊晶片,將所述超聲換能器晶片切割成塊以分割所述多個超聲換能器的每個,
其中所述第三溝槽具有與所述第一溝槽基本相同的寬度。
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