[發明專利]P型LED外延結構、生長方法有效
| 申請號： | 201410379216.3 | 申請日： | 2014-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN104103721B | 公開（公告）日： | 2017-04-05 |
| 發明（設計）人： | 向錦濤;胡艷芳 | 申請（專利權）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 馬佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 外延 結構 生長 方法 | ||
1.一種P型LED外延結構，所述結構自下而上包含藍寶石襯底、低溫氮化鎵緩沖層、非摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、第一勢壘層、淺量子阱層、多量子阱層、電子阻擋層、高摻雜P型氮化鎵層以及接觸層，其特征在于：
所述高摻雜P型氮化鎵接觸層進一步包含第一P型氮化鎵層和第二P型氮化鎵層，且所述第一P型氮化鎵層和所述第二P型氮化鎵層分別采用不同的載氣來生長。
2.如權利要求1所述的P型LED外延結構，其特征在于，所述第一P型氮化鎵層采用氮氣作為載氣來生長，而所述第二P型氮化鎵層采用氮氣與氫氣的混合氣體作為載氣來生長。
3.如權利要求2所述的P型LED外延結構，其特征在于，所述第一P型氮化鎵層是在820-920℃的溫度條件下生長的，而所述第二P型氮化鎵層是在850-950℃溫度條件下生長的。
4.如權利要求1所述的P型LED外延結構，其特征在于，所述第一P型氮化鎵層和所述第二P型氮化鎵層是在相同溫度條件以及相同壓力條件下生長的。
5.如權利要求1所述的P型LED外延結構，其特征在于，所述第一P型氮化鎵層和所述第二P型氮化鎵層是在不同溫度條件及/或不同的壓力條件下生長的。
6.一種LED顯示裝置，其特征在于，所述LED顯示裝置包含應用了權利要求1-5中任一項所述的P型LED外延結構的外延片。
7.一種P型LED外延結構生長方法，依次包含處理藍寶石襯底、生長低溫氮化鎵緩沖層、生長非摻雜氮化鎵層、生長n型氮化鎵層、生長第一勢壘層、生長淺量子阱層、生長多量子阱層、生長電子阻擋層、生長高摻雜P型氮化鎵層以及生長接觸層，其特征在于：所述生長高摻雜P型氮化鎵層的步驟進一步包含：
生長第一P型氮化鎵層；以及
生長第二P型氮化鎵層，
其中所述第一P型氮化鎵層和所述第二P型氮化鎵層分別采用不同的載氣來生長。
8.如權利要求7所述的P型LED外延結構生長方法，其特征在于，所述第一P型氮化鎵層采用氮氣作為載氣來生長，而所述第二P型氮化鎵層采用氮氣與氫氣的混合氣體作為載氣來生長。
9.如權利要求8所述的P型LED外延結構生長方法，其特征在于，所述第一P型氮化鎵層是在820-920℃的溫度條件下生長的，而所述第二P型氮化鎵層是在850-950℃溫度條件下生長的。
10.如權利要求7所述的P型LED外延結構生長方法，其特征在于，所述第一P型氮化鎵層和所述第二P型氮化鎵層是在相同溫度條件以及相同壓力條件下生長的。
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