[發明專利]晶圓級芯片的封裝工藝

有效

• 申請號: 201410378126.2
• 申請日: 2014-08-04
• 公開（公告）號: CN104167387B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 賴芳奇;張志良;呂軍;陳勝
• 申請（專利權）人: 蘇州科陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/312
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103
• 代理人: 馬明渡,王健

1.一種晶圓級芯片的封裝工藝，其特征在于：所述晶圓級芯片（1）表面的四周邊緣區域分布有若干個盲孔（2），所述晶圓級芯片（1）表面和盲孔（2）側表面、底部具有鈍化層（3），位于此盲孔（2）底部鈍化層（3）下方具有氧化硅層（4），一引腳焊盤（5）位于氧化硅層（4）與盲孔（2）相背的一側且位于盲孔（2）正下方；所述重布線制造工藝包括以下步驟：

步驟一、將晶圓級芯片（1）固定于一晶圓級靜電噴涂裝置（6）上；所述晶圓級靜電噴涂裝置（6）包括腔體（7）、金屬托盤（8）、噴嘴（9）和靜電發生器（10），所述噴嘴（9）上端安裝有高壓氣體輸入管（11），噴嘴（9）側壁安裝有用于傳輸保護光阻層的液體傳輸管（12），所述金屬托盤（8）設置于腔體（7）底部的中央區域，所述靜電發生器（10）的第一電極輸出端通過導線連接到金屬托盤（8），所述靜電發生器（10）的第二電極輸出端通過導線連接到噴嘴（9），所述晶圓級芯片（1）放置于所述金屬托盤（8）上表面上，至少2個固定于金屬托盤（8）邊緣區域的壓爪（13）夾持所述晶圓級芯片（1）邊緣區；

步驟二、開啟所述靜電發生器（10）從而使得金屬托盤（8）帶上正電荷或負電荷，噴嘴（9）帶上正電荷或負電荷，金屬托盤（8）和噴嘴（9）帶電荷相反，保護光阻液從液體傳輸管（12）進入噴嘴（9）并在來自高壓氣體輸入管（11）的高壓氮氣驅動下，噴射至晶圓級芯片（1）表面、盲孔（2）側表面和底部從而在晶圓級芯片（1）表面、盲孔（2）側表面和底部形成一層均勻的保護光阻層（14），所述保護光阻液帶上正電荷或負電荷；

步驟三、使用步進曝光機對晶圓級芯片（1）的盲孔（2）底部保護光阻層（14）進行曝光；

步驟四、將曝光后的晶圓級芯片（1）放置于封閉顯影機（15）的腔體內，對盲孔（2）底部進行顯影，顯出工藝窗口從而暴露出盲孔（2）底部的鈍化層（3）；

步驟五、通過蝕刻去除位于引腳焊盤（5）正上方的鈍化層（3）、氧化硅層（4），從而露出引腳焊盤（5）；

步驟六、用物理氣相沉積或者電子束蒸發在盲孔（2）四壁、底部以及晶圓級芯片（1）表面鍍覆一金屬導電層（16），此金屬導電層（16）與引腳焊盤（5）電連接；

步驟七、在金屬導電層（16）與鈍化層（3）相背的表面制作一防焊層（17），此防焊層（17）上開設若干個通孔（18），一焊球（19）通過所述通孔（18）與金屬導電層（16）電連接；所述金屬托盤（8）帶上正電荷，所述噴嘴（9）帶上負電荷，所述保護光阻液帶上負電荷。

2.根據權利要求1 所述的晶圓級芯片的封裝工藝，其特征在于：所述噴嘴（9）從上往下以一定的步進移動來回噴涂，完成一個整面噴涂。

3.根據權利要求1 所述的晶圓級芯片的封裝工藝，其特征在于：所述噴嘴（9）繞其軸線旋轉。