[發明專利]導電導熱良好的倒裝LED芯片、及其LED器件和制備方法

有效

• 申請號: 201410377460.6
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN104143603A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 許朝軍;姜志榮;曾照明;黃靚;肖國偉
• 申請（專利權）人: 晶科電子（廣州）有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 肖云

1.一種倒裝LED芯片，包括外延襯底、P表面電極、N表面電極、疊加于外延襯底上表面的N型外延層、疊加于N型外延層上表面的發光層、疊加于發光層上表面的P型外延層，其特征在于，所述P型外延層其上開設有第一凹孔，且第一凹孔向下貫穿過所述發光層并延伸至所述N型外延層；

在P型外延層上表面疊加有一P接觸金屬層，且P接觸金屬層的邊緣與P型外延層的邊緣之間留有空間，相互疊加的P型外延層和P接觸金屬層構成第一疊加結構；

所述第一疊加結構其上表面疊加有P阻擋保護層，且P阻擋保護層的下表面覆蓋面積與P型外延層的上表面面積一致；

N型外延層、發光層、P型外延層、P接觸金屬層、及P阻擋保護層依次疊加構成第二疊加結構，所述第二疊加結構其外露的表面設有絕緣層，且和所述第一凹孔的底部位置相對應的絕緣層部分設有第一通孔，在和P阻擋保護層上表面對應的絕緣層部分設有第二通孔；

所述N表面電極通過所述第一通孔與N型外延層電連接，所述P表面電極通過所述第二通孔與P阻擋保護層電連接。

2.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，P接觸金屬層的邊緣與P型外延層的邊緣的距離大于2μm。

3.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，N表面電極的邊緣向下延伸至第一通孔的底部與所述N型外延層直接接觸以形成電連接。

4.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第二疊加結構其邊緣呈臺階狀。

5.一種LED器件，其特征在于，所述LED器件包括基板、及倒裝安裝于所述基板上的如權利要求1～4任一項所述的倒裝LED芯片，基板上設有互相間隔的P電極和N電極，所述倒裝LED芯片其P表面電極和N表面電極分別對應地與基板上的P電極和N電極連接。

6.根據權利要求5所述的LED器件，其特征在于，所述基板其上設有貫穿基板上下表面的第三通孔和第四通孔，所述P電極設于基板上表面且P電極由所述第三通孔延伸至基板下表面；所述N電極設于基板上表面且N電極由所述第四通孔延伸至基板下表面；P電極和N電極二者位于基板上表面的部分分別用于與倒裝LED芯片的P表面電極和N表面電極連接，P電極和N電極二者位于基板下表面的部分用于與外接器件連接。

7.一種LED器件，其特征在于，所述LED器件包括基板、及至少一個如權利要求1～4任一項所述的倒裝LED芯片，所述基板其表面設有多個基板電極，且相鄰基板電極之間間隔布置，所述倒裝LED芯片其P表面電極和N表面電極與基板表面的基板電極連接。

8.根據權利要求7所述的LED器件，其特征在于，所述倒裝LED芯片其P表面電極和N表面電極分別與基板表面相鄰的兩個基板電極連接。