[發(fā)明專利]去除鋁殘留物的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410377280.8
• 申請(qǐng)日: 2014-08-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105336573B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴海長(zhǎng);傅俊;梁田
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐潔晶

1.一種去除鋁殘留物(202)的方法，所述鋁殘留物(202)和鋁互連線(203)位于金屬間介質(zhì)層(201)上，所述鋁互連線(203)和所述鋁殘留物(202)均通過(guò)粘合層(204)與所述金屬間介質(zhì)層(201)相接觸；

所述方法包括步驟：

A.在所述鋁互連線(203)上形成與所述鋁互連線(203)同樣圖形的阻擋層(205)，所述阻擋層(205)為光刻膠；

B.對(duì)所述阻擋層(205)進(jìn)行加熱，使所述鋁互連線(203)上的所述光刻膠發(fā)生回流，在所述鋁互連線(203)的側(cè)壁處形成側(cè)墻(206)；

C.在所述阻擋層(205)和所述側(cè)墻(206)對(duì)所述鋁互連線(203)的保護(hù)下，刻蝕掉所述鋁殘留物(202)；

D.去除掉所述鋁殘留物(202)下方的所述粘合層(204)，并去除所述阻擋層(205)和所述側(cè)墻(206)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，所述金屬間介質(zhì)層(201)的材質(zhì)為二氧化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，所述粘合層(204)的材質(zhì)為鈦和氮化鈦；其中鈦位于所述粘合層(204)中的下層，與所述金屬間介質(zhì)層(201)相接觸；氮化鈦位于所述粘合層(204)中的上層，與所述鋁互連線(203)或者所述鋁殘留物(202)相接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，在上述步驟A中，在所述鋁互連線(203)上形成所述阻擋層(205)的方式為：在當(dāng)前結(jié)構(gòu)的表面旋涂光刻膠，依照所述鋁互連線(203)的掩模版形狀對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，在上述步驟B中，系使用硬烘焙的方式對(duì)所述阻擋層(205)進(jìn)行加熱。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，所述硬烘焙的加熱溫度為170～800攝氏度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，在上述步驟C中，系使用濕法刻蝕的方法來(lái)刻蝕掉所述鋁殘留物(202)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所采用的溶液為ST250溶液。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的溫度范圍為30～50攝氏度，時(shí)間長(zhǎng)度為10～60分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，在上述步驟D中，系使用低功率的干法刻蝕的方法來(lái)去除掉所述鋁殘留物(202)下方的所述粘合層(204)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，所述低功率是指刻蝕功率小于1000瓦。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的去除鋁殘留物的方法，其特征在于，所述干法刻蝕是在氯氣的氣氛下進(jìn)行的。