[發明專利]可調節雙折射率差的1310nm波長的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法

有效

• 申請號: 201410377147.2
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN104142534B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 李俊慧;楊成惠;鄭遠生;楊德偉;郝琰
• 申請（專利權）人: 北京世維通科技發展有限公司
• 主分類號: G02B6/13
• 分類號: G02B6/13;G02F1/03
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標代理有限公司11012
• 代理人: 金璽,黃姝

1.一種可調節雙折射率差的1310nm波長的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述雙折射率差值的范圍在1.5×10^-5～4.8×10^-3，所述雙折射率差值隨擴散時間增大而減少，所述制備方法包括：

在清洗干凈的Y切鈮酸鋰晶片上蒸發一層鈦膜，所述鈦膜的厚度為65nm～105nm；

對所述鈦膜進行腐蝕，在所述Y切鈮酸鋰晶片表面形成沿所述Y切鈮酸鋰晶片Z方向延伸的鈦條，得到包括所述Y切鈮酸鋰晶片以及所述鈦條的芯片，所述鈦條的寬度為6μm～8.5μm，所述Z方向為垂直所述Y切鈮酸鋰晶片切面的方向；

將清洗干凈的所述芯片置于通入濕氧且設定擴散溫度的環境下，靜止擴散時間后取出所述芯片即為所述Y切Z傳鈮酸鋰波導，所述擴散時間為6小時～12小時。

2.根據權利要求1所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述鈦膜的厚度為70nm～100nm，所述鈦條的寬度為6μm～8μm。

3.根據權利要求1所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于:

所述雙折射率差值的范圍在5.2×10^-5～6.9×10^-5，所述鈦膜的厚度為65nm～105nm，所述鈦條的寬度為6.0μm～6.5μm，所述擴散時間為10小時。

4.根據權利要求3所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述鈦膜的厚度為70nm～100nm，所述鈦條的寬度為6.0μm。

5.根據權利要求3所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述雙折射率差值隨所述鈦膜的厚度增大而增大。

6.根據權利要求1所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述雙折射率差值的范圍在5.2×10^-5～8.6×10^-5，所述鈦膜的厚度為65nm～75nm，所述鈦條的寬度為6μm～8.5μm，所述擴散時間為10小時。

7.根據權利要求6所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述鈦膜的厚度為70nm,所述鈦條的寬度為6μm～8μm。

8.根據權利要求6所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述雙折射率差值隨所述鈦條的寬度增大而增大。

9.根據權利要求1所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述雙折射率差值的范圍在1.5×10^-5～9.5×10^-4，所述鈦膜的厚度為65nm～75nm，所述鈦條的寬度為6.0μm～6.5μm，所述擴散時間為6小時～12小時。

10.根據權利要求9所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述鈦膜的厚度為70nm，所述鈦條的寬度為6μm。

11.根據權利要求1～10任一項所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述濕氧的流量為0.05m³/h～0.06m³/h。

12.根據權利要求11所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述濕氧的流量為0.06m³/h。

13.根據權利要求1～10任一項所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述擴散溫度為1040℃-1060℃。

14.根據權利要求13所述的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法，其特征在于，所述擴散溫度為1050℃。