[發明專利]電源半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201410376769.3
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN104752398B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 林立凡;廖文甲
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 蘇捷,向勇

1.一種電源半導體裝置，包括：

一基板；

一主動層，設置于該基板上；

一柵極，設置于該主動層上；

一第一電極和一第二電極，設置于該主動層上，且位于該柵極的二個相對側；

一第一金屬圖案，耦接至該第一電極；

一第二金屬圖案，耦接至該第二電極；

一第一絕緣層，設置于該第一金屬圖案和該第二金屬圖案上；以及

一第三金屬圖案，覆蓋該第一絕緣層，耦接至該第二金屬圖案，其中該第三金屬圖案和該第一絕緣層之間的一界面為一實質平坦表面，

其中，該第一電極為一源極，且該第二電極為一漏極，

其中，該第一金屬圖案與該柵極重疊。

2.如權利要求1所述的電源半導體裝置，其中該第三金屬圖案由一第一部分和一第二部分構成，其中該第一部分沿平行于該第一絕緣層的一頂面的一第一方向延伸，且該第二部分沿垂直于該第一方向的一第二方向延伸。

3.如權利要求1所述的電源半導體裝置，其中該第一絕緣層的一頂面為一平坦表面。

4.如權利要求1所述的電源半導體裝置，其中該第一金屬圖案和該第二金屬圖案屬于一第一金屬層別。

5.如權利要求1所述的電源半導體裝置，其中該第三金屬圖案與該柵極和該第一金屬圖案重疊。

6.如權利要求4所述的電源半導體裝置，其中該第三金屬圖案屬于一第二金屬層別，且該第二金屬層別不同于該第一金屬層別。

7.如權利要求6所述的電源半導體裝置，其中該第二金屬層別高于該第一金屬層別。

8.如權利要求1所述的電源半導體裝置，其中該第一金屬圖案垂直位于該柵極和該第三金屬圖案之間。

9.如權利要求6所述的電源半導體裝置，還包括一第二絕緣層，覆蓋該柵極、該第一金屬圖案和該第二金屬圖案，其中該柵極通過該第二絕緣層與該第一金屬圖案隔開。

10.如權利要求1所述的電源半導體裝置，還包括一第四金屬圖案，設置于該第一絕緣層上，且耦接至該第一金屬圖案。

11.如權利要求9所述的電源半導體裝置，還包括一第三絕緣層，覆蓋該第一金屬圖案和該第二金屬圖案，且位于該第一絕緣層下方。

12.如權利要求1所述的電源半導體裝置，其中該第一絕緣層由包括苯并環丁烯、旋涂玻璃、聚酰亞胺、光致抗蝕劑或上述組合的絕緣材料形成。

13.一種電源半導體裝置的制造方法，包括下列步驟：

提供一基板，其中該基板上具有一主動層；

于該主動層上形成一第一帶狀柵極、一第二帶狀柵極、一帶狀源極、一第一帶狀漏極和一第二帶狀漏極，其中該第一帶狀柵極位于該第一帶狀漏極和該帶狀源極之間，且其中該第二帶狀柵極位于該第二帶狀漏極和該帶狀源極之間；

形成一第一金屬圖案，耦接至該帶狀源極，且形成二個第二金屬圖案，分別耦接至該第一帶狀漏極和該第二帶狀漏極；

于該第一金屬圖案和該二個第二金屬圖案上形成一第一絕緣層；

進行一平坦化工藝，移除部分該第一絕緣層，以形成一平坦化第一絕緣層；以及

于該平坦化第一絕緣層上形成一第三金屬圖案，該第三金屬圖案耦接至該第一帶狀漏極和該第二帶狀漏極，其中該第三金屬圖案和該平坦化第一絕緣層之間的一界面為一實質平坦表面，

其中，該第一金屬圖案與該第一帶狀柵極和該第二帶狀柵極重疊。

14.如權利要求13所述的電源半導體裝置的制造方法，其中該第一帶狀柵極、該第二帶狀柵極、該帶狀源極、該第一帶狀漏極和該第二帶狀漏極彼此平行且彼此隔開。

15.如權利要求13所述的電源半導體裝置的制造方法，還包括于該第一絕緣層上形成一第四金屬圖案，且耦接至該第一金屬圖案，其中該第四金屬圖案和該平坦化第一絕緣層之間的一界面為一平坦表面。

16.如權利要求13所述的電源半導體裝置的制造方法，其中形成該第一金屬圖案和該兩個第二金屬圖案之前還包括于該主動層上形成一第二絕緣層，覆蓋該第一帶狀柵極、該第二帶狀柵極、該帶狀源極、該第一帶狀漏極和該第二帶狀漏極、其中該第一帶狀柵極和該第二帶狀柵極皆通過該第二絕緣層與該第一金屬圖案隔開。