[發明專利]一種太陽能電池的雙面擴散方法有效
| 申請號: | 201410376746.2 | 申請日: | 2014-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN104143589B | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發明(設計)人: | 張勤杰;傅建奇;李秀青;杜飛龍;姚雁林 | 申請(專利權)人: | 北京飛行博達電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司: | 31275 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 101204 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 雙面 擴散 方法 | ||
1.一種太陽能電池的雙面擴散方法,其特征在于,包括:
步驟S01:將兩個晶圓的背面相對貼合;
步驟S02:對兩個所述晶圓的正面進行第一摻雜元素擴散,在每個所述晶圓正面形成第一擴散層,同時在所述晶圓背面和邊緣形成第一雜質層;
步驟S03:將兩個所述晶圓分開,并采用濕法刻蝕去除每個所述晶圓背面和邊緣的第一雜質層;
步驟S04:將兩個所述晶圓的正面相對貼合,此時所述晶圓的正面僅為第一擴散層;
步驟S05:對兩個所述晶圓的背面進行第二摻雜元素擴散,在每個所述晶圓背面形成第二擴散層,同時在所述晶圓正面和邊緣形成第二雜質層,且所述晶圓正面的第二雜質層為由所述第二摻雜元素和所述第一摻雜元素形成的共摻雜層;
步驟S06:將兩個所述晶圓分開,并采用濕法刻蝕去除每個所述晶圓正面和邊緣的第二雜質層。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池的雙面擴散方法,其特征在于,所述步驟S03采用化學腐蝕法去除所述第一雜質層,具體包括:將所述晶圓的背面向下接觸藥液,所述晶圓的正面向上而不接觸藥液;所述步驟S06采用化學腐蝕法去除所述第二雜質層,具體包括:將所述晶圓的正面向下接觸藥液,所述晶圓的背面向上而不接觸藥液。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池的雙面擴散方法,其特征在于,所述化學腐蝕法所采用的藥液為酸性藥液。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池的雙面擴散方法,其特征在于,所述化學腐蝕法所采用的溫度為0~25℃,浸泡時間為1~800秒。
5.根據權利要求3所述的太陽能電池的雙面擴散方法,其特征在于,所述酸性藥液為氫氟酸、硝酸和水的混合溶液;所述氫氟酸與硝酸的比例為1:(5~10)。
6.根據權利要求2所述的太陽能電池的雙面擴散方法,其特征在于,所述化學腐蝕法所采用的藥液為堿性藥液。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池的雙面擴散方法,其特征在于,所述化學腐蝕法所采用的溫度為60~90℃,浸泡時間為1~800秒。
8.根據權利要求6所述的太陽能電池的雙面擴散方法,其特征在于,所述堿性藥液為氫氧化鈉或氫氧化鉀與異丙醇的混合溶液;所述氫氧化鈉或氫氧化鉀的質量分數為0.5~2.5%,所述異丙醇的質量分數為1~3%。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京飛行博達電子有限公司,未經北京飛行博達電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410376746.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種單晶氮化鎵生長所需的緩沖層的形成方法
- 下一篇:半導體器件及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





