[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410376725.0
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN104465655B
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 湯元美樹;蔵口雅彥
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/06;H01L21/8249
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第1導電型的第1GaN類半導體層；

第1導電型的第2GaN類半導體層，設在上述第1GaN類半導體層上，第1導電型的雜質(zhì)濃度比上述第1GaN類半導體層低；

第2導電型的第3GaN類半導體層，設在上述第2GaN類半導體層上的一部分區(qū)域中；

第1導電型的第4GaN類半導體層，設在上述第3GaN類半導體層上，是外延生長層，第1導電型的雜質(zhì)濃度比上述第2GaN類半導體層高；

柵極絕緣膜，設在上述第2GaN類半導體層、第3GaN類半導體層及第4GaN類半導體層上；

柵極電極，設在上述柵極絕緣膜上；

第1電極，設在上述第4GaN類半導體層上；

第2電極，設在上述第1GaN類半導體層的與上述第2GaN類半導體層相反的一側；

第3電極，設在上述第2GaN類半導體層上；以及

多個第2導電型的第5GaN類半導體層，在上述第2GaN類半導體層上的一部分區(qū)域中將上述第1電極及上述第3電極包圍且分別分離地設置，第2導電型的雜質(zhì)濃度與上述第3GaN類半導體層大致相同。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述柵極絕緣膜與上述第2GaN類半導體層、第3GaN類半導體層及第4GaN類半導體層接觸。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述第2GaN類半導體層上的一部分區(qū)域還具備與上述第3電極接觸且第2導電型的雜質(zhì)濃度與上述第3GaN類半導體層及上述第5GaN類半導體層大致相同的第2導電型的第6GaN類半導體層。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第1電極被設在一端位于上述第4GaN類半導體層、另一端位于上述第3GaN類半導體層的槽內(nèi)，并且上述第1電極與上述第3GaN類半導體層接觸。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第2GaN類半導體層的膜厚是1μm以上且20μm以下，上述第2GaN類半導體層的第1導電型的雜質(zhì)濃度是1×10¹⁶cm^－3以上且2×10¹⁷cm^－3以下。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第3GaN類半導體層的膜厚是0.1μm以上且2μm以下。

7.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第3GaN類半導體層、第5GaN類半導體層及第6GaN類半導體層的第2導電型的雜質(zhì)濃度比上述第2GaN類半導體層的第1導電型的雜質(zhì)濃度高一個數(shù)量級以上。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第1電極和上述第3電極由不同的材料形成。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第2GaN類半導體層和上述第3電極進行肖特基連接。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第4GaN類半導體層和上述第1電極、以及上述第1GaN類半導體層和上述第2電極進行歐姆連接。