[發(fā)明專利]屏蔽柵極溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410376659.7
• 申請(qǐng)日: 2010-08-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104134696A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳軍;李一寬;常虹;李文軍;安荷·叭剌;哈姆扎·依瑪茲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;賈慧琴

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

????一個(gè)襯底；

????一個(gè)在襯底中的有源柵極溝道；以及

????一個(gè)在襯底中的源極多晶硅連接溝道；其中：

????所述的源極多晶硅連接溝道含有一個(gè)多晶硅電極；以及

????所述的多晶硅電極的頂面位于本體區(qū)的底面下方。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的半導(dǎo)體器件還包括一個(gè)用金屬導(dǎo)體填充的接觸孔，從多晶硅電極延伸到沉積在半導(dǎo)體器件頂面上的源極金屬層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的接觸孔寬度小于多晶硅電極的寬度。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的源極多晶硅連接溝道的深度大于有源柵極溝道的深度。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的源極多晶硅連接溝道比有源柵極溝道要窄。

6.一種半導(dǎo)體器件，包括：

????一個(gè)襯底；

????????一個(gè)在襯底中的有源柵極溝道，包括一個(gè)第一頂部柵極電極和一個(gè)第一底部源極電極；以及

????????一個(gè)柵極滑道溝道，包括一個(gè)第二頂部柵極電極和一個(gè)第二底部源極電極；其中：

????所述的第二頂部柵極電極比第二底部源極電極要窄。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的柵極滑道溝道為終止溝道，將低勢(shì)能區(qū)與高勢(shì)能區(qū)分離開(kāi)。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的柵極滑道溝道圍繞并連接多個(gè)有源柵極溝道。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的柵極滑道溝道含有作為柵極連接溝道的一部分。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的第二柵極電極的頂面位于半導(dǎo)體襯底的頂面下方。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的第二頂部柵極電極，還通過(guò)一個(gè)直接設(shè)置在第二頂部柵極電極上方的柵極接觸孔，連接到柵極金屬上。

12.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括一個(gè)位于柵極滑道溝道的側(cè)壁頂部附近的氮化物隔片。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的第二頂部柵極電極的頂面位于氮化物隔片底面下方。

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，源極區(qū)的頂面與氮化物隔片的底面基本對(duì)齊。

15.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，有源柵極溝道具有一個(gè)內(nèi)襯氧化物的有源柵極溝道壁，氧化物的第一厚度在有源柵極溝道的頂部，第二厚度在有源柵極溝道的底部，第二厚度大于第一厚度。

16.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的柵極滑道溝道具有一個(gè)內(nèi)襯氧化物的柵極滑道溝道壁，氧化物的第三厚度在柵極滑道溝道的上部，第四厚度在柵極滑道溝道的下部，第三厚度大于第四厚度。

17.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的柵極滑道溝道比有源柵極溝道要寬。

18.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的柵極滑道溝道具有第一個(gè)溝道壁和第二個(gè)溝道壁；?

????????所述的第一個(gè)溝道壁內(nèi)襯具有第一厚度的氧化物，位于第一個(gè)側(cè)壁和第二個(gè)頂部柵極電極之間；以及?

????????所述的第二個(gè)溝道壁內(nèi)襯具有第二厚度的氧化物，第二厚度不同于第一厚度。

19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

????????所述的第一厚度大于第二厚度；以及?

????????所述的第一個(gè)溝道壁比第二個(gè)溝道壁更靠近終止區(qū)。