[發(fā)明專利]一種多晶硅快速沉積的方法和裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410376132.4
• 申請(qǐng)日: 2014-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN104108718A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐澤慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 徐澤慶
• 主分類號(hào): C01B33/021
• 分類號(hào): C01B33/021;C01B33/035
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• 代理人: 暫無信息

1.一種多晶硅快速沉積的方法和裝置是：在密閉的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)爐內(nèi)，在一個(gè)石墨基座（3）上，豎直安置一組并行排列的硅芯（1）或一片硅板，通過較短的硅質(zhì)橫梁（2）連接另一個(gè)石墨基座（3）上的按相同方式安置的一組硅芯（1）或一片硅板，構(gòu)成一個(gè)片（板）狀的倒U形裝置（圖2）；石墨基座（3）放置在電極（4）上，電極（4）安裝在反應(yīng)爐的底盤上；這樣的片（板）狀倒U形裝置（圖2）安置在兩個(gè)電極（4）上，此兩個(gè)電極（4）互成電極（4）對(duì)，分別與電源連接。

2.其中，所述成組的硅芯（1）的特征是：采用3—13支Φ（5—10）mm的圓形硅芯（1)成一組，硅芯（1)下端是有一定錐度的小圓柱，硅芯（1)上端是有一小臺(tái)階的小圓柱(圖3)；采用3—13支橫截面為（5—10）×（5—10）mm的方形硅芯（1)為一組，硅芯（1)下端是有一定錐度的小圓柱，硅芯（1）上端是有一小臺(tái)階的小圓柱(圖3)。

3.其中，所述硅板的特征是：橫截面為厚（5—10）×寬（30—130）mm的長(zhǎng)硅板，硅板下端有多個(gè)小圓柱，上端也有多個(gè)小圓柱(圖4)；橫截面為厚（5—10）×寬（30—130）mm的長(zhǎng)硅板，硅板上下兩端有一凸出的小臺(tái)階，小臺(tái)階兩端是半圓柱形(圖5)。

4.其中，所述連接硅芯（1)或者硅板的橫梁（2）的特征是：橫截面為厚（5—10）mm×寬（30—150）mm的短硅板，兩端均開有一組小圓孔?(圖6)；?橫截面為厚（5—10）mm×寬（30—150）mm的短硅板，兩端均開有一個(gè)兩端為半圓柱形的條形槽孔(圖7)。

5.其中，所述安置硅芯（1）的石墨基座（3）的特征是：下端開有與電極（4）同心的錐形圓洞，上端開有通過圓心、沿著直徑方向?qū)ΨQ分布的插入硅芯（1)的多個(gè)小圓錐孔或圓孔(?8)。

6.其中，所述安置硅板的石墨基座（3）的特征是：下端開有與電極（4）同心的錐形圓洞，上端開有通過圓心、沿著直徑方向?qū)ΨQ分布的嵌入硅板下端小圓柱的多個(gè)小圓錐孔或圓孔(圖8)；下端開有與電極（4）同心的錐形圓洞，上端開有通過圓心、沿著直徑方向?qū)ΨQ分布的嵌入硅板的條形槽，條形槽的規(guī)格為寬（5—10）mm×長(zhǎng)（30—130）mm×深度(圖9)。

7.其中，所述硅芯（1)組與石墨基座（3）的連接方式的特征是：將一組硅芯（1)的下端豎直插入石墨基座（3）上端的小圓錐孔或圓孔中，固定。

8.其中，所述硅板與石墨基座（3）的連接方式的特征是：將硅板的下端豎直插入石墨基座（3）上端的小圓錐孔或圓孔中，固定；將硅板的下端豎直插入石墨基座（3）條形槽中，固定。

9.其中，所述硅芯（1)組與橫梁（2）的連接方式的特征是：將一組豎直硅芯（1)上端臺(tái)階上的小圓柱體嵌入橫梁（2）的一端的圓孔中，硅芯（1)頭露出一定長(zhǎng)度。

10.其中，所述硅板與橫梁（2）的連接方式的特征是：將硅板上端的小圓柱嵌入橫梁（2）一端的圓孔中并露出一定長(zhǎng)度；將硅板上端的凸出臺(tái)階嵌入橫梁（2）一端的條形槽孔中并露出一定長(zhǎng)度。

11.其中，所述含硅氣體的特征是：SiHCl₃,SiCl₄,SiH₂Cl₂,SiH₄氣體。

12.?一種多晶硅快速沉積的方法和裝置適用于各種反應(yīng)壓力和棒數(shù)的反應(yīng)爐型?。