[發(fā)明專利]阱區(qū)制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410375562.4
• 申請(qǐng)日: 2014-07-31
• 公開（公告）號(hào): CN105336691B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李健;許宗能
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種阱區(qū)制備方法，用于制備具有第一摻雜類型阱區(qū)，包括步驟：

提供襯底；

在所述襯底表面形成具有第一厚度且邊緣垂直于所述襯底表面的第一光阻層，所述第一光阻層完全覆蓋所述襯底上需要制備第一摻雜類型阱區(qū)的區(qū)域；

注入第二摻雜類型離子，在所述襯底上未被所述第一光阻層覆蓋區(qū)域形成第二摻雜類型阱區(qū)，在所述襯底上被所述第一光阻層覆蓋區(qū)域形成第二摻雜類型擴(kuò)散區(qū)；

去除第一光阻層，形成第二光阻層；所述第二光阻層完全覆蓋所述第二摻雜類型阱區(qū)，且將所述第二摻雜類型擴(kuò)散區(qū)予以暴露；

在所述第二摻雜類型擴(kuò)散區(qū)注入第一摻雜類型離子以中和第二摻雜類型擴(kuò)散區(qū)中的第二摻雜類型離子；

在經(jīng)過中和后的第二摻雜類型擴(kuò)散區(qū)注入第一摻雜類型離子，形成第一摻雜類型阱區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阱區(qū)制備方法，其特征在于，所述在所述第二摻雜類型擴(kuò)散區(qū)注入第一摻雜類型離子以中和第二摻雜類型擴(kuò)散區(qū)中的第二摻雜類型離子的步驟中，注入的第一摻雜類型離子的能量為100～200Kev，注入劑量為0.5×10¹³～2×10¹³㎝^-2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阱區(qū)制備方法，其特征在于，所述在經(jīng)過中和后的第二摻雜類型擴(kuò)散區(qū)注入第一摻雜類型離子，形成第一摻雜類型阱區(qū)的步驟中，注入的第一摻雜類型離子的能量大于400Kev。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阱區(qū)制備方法，其特征在于，所述第一厚度為10000～20000埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阱區(qū)制備方法，其特征在于，所述第一厚度為15000埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阱區(qū)制備方法，其特征在于，所述第一摻雜類型為N型，所述第二摻雜類型為P型。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阱區(qū)制備方法，其特征在于，所述第一摻雜類型為P型，所述第二摻雜類型為N型。