[發明專利]一維TiO2納米線的制備方法和TiO2/MoS2復合物的制備方法有效
| 申請號: | 201410374381.X | 申請日: | 2014-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN104140124A | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發明(設計)人: | 向斌;沈夢;楊雷 | 申請(專利權)人: | 中國科學技術大學 |
| 主分類號: | C01G23/053 | 分類號: | C01G23/053;B82Y30/00;B82Y40/00;C01G39/06;B01J27/047 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 賀衛國 |
| 地址: | 230026 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tio sub 納米 制備 方法 mos 復合物 | ||
1.一種一維TiO2納米線的制備方法,所述方法包括:
a.將鈦酸四正丁酯、乙酸、乙醇以及聚乙烯吡咯烷酮(PVP)配制成溶液;
b.使用以上溶液進行靜電紡絲;
c.紡絲結束,將收集到的復合納米線煅燒。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其中在步驟c中的煅燒之前,將復合納米線在環境濕度為40%-60%的情況下靜置;和/或步驟b中的紡絲中的電壓為15kV至18kV,和/或流速為0.7至1.5ml/h,和/或接收距離為12至20cm。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其中步驟c中煅燒過程包括以下步驟:
c1.以1至5℃/分鐘的升溫速率升至250至280℃;
c2.以3至10℃/分鐘的升溫速率升至425至550℃;
其中步驟c1在步驟c2之前進行。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其中在步驟c1之后保溫1至3h;和/或在步驟c2之后保溫1至4h。
5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法制備的一維TiO2納米線。
6.一種TiO2/MoS2復合物的制備方法,其中使用根據權利要求1-4中的任一項所述的制備方法制備的TiO2、氧化鉬和硫氰酸鉀作為前驅體。
7.權利要求6所述的制備方法,所述方法包括以下步驟:
a.將氧化鉬和硫氰酸鉀配制成均勻的懸浮液;
b.加入根據權利要求1-4中的任一項所述的制備方法制備的二氧化鈦;
c.加熱制備TiO2/MoS2復合物。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其中步驟a中所述的氧化鉬和硫氰酸鉀的摩爾比為1∶3步驟b中在加入所述二氧化鈦之前將pH調節為1至3;和/或步驟c中的加熱溫度為180至240℃,和/或加熱時間為12至48h;和/或在步驟c之后,將所得到的復合物在50-80℃烘烤。
9.根據6-11任一項所述的制備方法制備的TiO2/MoS2復合物。
10.根據權利要求9所述的TiO2/MoS2復合物用于提高可見光催化效率的用途。
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