[發明專利]一種采用鋁基板封裝的大功率半導體激光器及其封裝方法

有效

• 申請號: 201410374336.4
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN105305224B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 史國柱;馬崇彩;李明;李樹強;徐現剛
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/00
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司37219
• 代理人: 呂利敏

1.一種采用鋁基板封裝的大功率半導體激光器，其特征在于，包括激光器芯片、次熱沉、銅熱沉、過渡絕緣電極、電極金線和設置覆銅導線的鋁基板；所述鋁基板中填充有絕緣導熱材料；所述激光器芯片的P型面燒結在次熱沉上，次熱沉燒結在銅熱沉上，銅熱沉直接燒結在鋁基板上；所述過渡絕緣電極設置在次熱沉的兩側并分別焊接在覆銅導線上，其中一側的過渡絕緣電極為N型過渡絕緣電極，另一側的過渡絕緣電極為P型過渡絕緣電極；所述電極金線分別設置在激光器芯片的N型電極面與N型過渡絕緣電極之間以及激光器芯片的P型電極面與P型過渡絕緣電極之間，所述覆銅導線與外部電源相連。

2.如權利要求1所述的采用鋁基板封裝的大功率半導體激光器，其特征在于，所述銅熱沉的四個側面分別設置有一組激光器芯片、次熱沉、過渡絕緣電極和電極金線，每組的激光器芯片、次熱沉、過渡絕緣電極和電極金線采用相同的連接方式，即激光器芯片的P型面燒結在次熱沉上，次熱沉燒結在銅熱沉上，過渡絕緣電極設置在次熱沉的兩側并分別焊接在覆銅導線上，其中一側的過渡絕緣電極為N型過渡絕緣電極，另一側的過渡絕緣電極為P型過渡絕緣電極；電極金線分別設置在激光器芯片的N型電極面與N型過渡絕緣電極之間以及激光器芯片的P型電極面與P型過渡絕緣電極之間。

3.如權利要求1或2所述的采用鋁基板封裝的大功率半導體激光器，其特征在于，所述次熱沉的材質為AlN或者SiC。

4.如權利要求1或2所述的采用鋁基板封裝的大功率半導體激光器，其特征在于，所述過渡絕緣電極的材質為AlN或SiC。

5.一種如權利要求1至4任一項所述的采用鋁基板封裝的大功率半導體激光器的封裝方法，步驟如下，

首先，在銅熱沉的每一個側面上將激光器芯片的P型面通過銦焊料或者金錫焊料燒結在次熱沉上，次熱沉通過銦焊料燒結在銅熱沉上，銅熱沉直接燒結在鋁基板上；

其次，將過渡絕緣電極設置在次熱沉的兩側并分別焊接在覆銅導線上，其中一側的過渡絕緣電極為N型過渡絕緣電極，另一側的過渡絕緣電極為P型過渡絕緣電極；

最后，將電極金線分別設置在激光器芯片的N型電極面與N型過渡絕緣電極之間以及激光器芯片的P型電極面與P型過渡絕緣電極之間，所述覆銅導線與外部電源相連。