[發明專利]一種具有集成檢測標記的光刻掩膜版及其應用有效
| 申請號: | 201410374231.9 | 申請日: | 2014-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN105319834B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 劉歡;沈燕;吳萌萌;張玉萍;徐現剛 | 申請(專利權)人: | 山東華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/44 | 分類號: | G03F1/44 |
| 代理公司: | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人: | 呂利敏 |
| 地址: | 250101 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 集成 檢測 標記 光刻 掩膜版 及其 應用 | ||
1.一種具有集成檢測標記的光刻掩膜版,其特征在于,該掩膜板包括在所述光刻掩膜版上設置的對準標記、測量標記和包含脊形波導信息的圖案,所述脊形波導信息的圖案的方向是根據實際需要設計為垂直或平行于所述對準標記的:
所述對準標記用于與晶片定位邊對齊;
所述的測量標記包括測量標記A,所述的測量標記A包括至少兩條分別與所述對準標記相垂直的標記條;所述標記條之間的距離小于等于所述晶片定位邊的長度;
所述每條標記條分別包括個數相同的標記格順次垂直于對準標記排列,所述單個標記格的尺寸相同。
2.根據權利要求1所述的一種具有集成檢測標記的光刻掩膜版,其特征在于,所述的測量標記還包括測量標記B,所述的測量標記B平行于所述對準標記,當晶片定位邊與所述對準標記平行對齊時,所述測量標記B與所述晶片外邊緣相切。
3.根據權利要求1所述的一種具有集成檢測標記的光刻掩膜版,其特征在于,所述每條標記條中的相鄰設置的標記格彼此橫向錯位設置。
4.根據權利要求3所述的一種具有集成檢測標記的光刻掩膜版,其特征在于,所述每條標記條中的相鄰設置的標記格彼此橫向錯位的距離為一個標記格。
5.一種如權利要求1-4任意一項所述光刻掩膜版的使用方法,其特征在于,該使用方法包括如下內容:
當需要利用上述光刻掩模版對晶片進行對齊光刻時:
將晶片的定位邊與所述光刻掩膜版上的對準標記平行對齊,同時將所述測量標記A中的兩條標記條與所述晶片對應;然后進行光刻處理,將所述光刻掩模版上脊形波導信息的圖案及兩條標記條圖案一齊光刻至晶片上。
6.一種對利用如權利要求5所述光刻掩膜版光刻后晶片的檢驗方法,包括如下內容:
1)通過查看光刻后的晶片上是否有測量標記B的圖案,判斷晶片定位邊是否與光刻掩膜版上的對準標記對齊:
當光刻后的晶片上有測量標記B的圖案時,則晶片定位邊與光刻掩膜版上的對準標記不對齊;當光刻后的晶片上無測量標記B的圖案時,則晶片定位邊與光刻掩膜版上的對準標記對齊;
2)通過查看光刻后的晶片上所述測量標記A中的兩條標記條分別包含標記格個數差值,判斷晶片定位邊與光刻掩膜版上的對準標記是否出現偏離角度,即為脊波導方向與晶片自然解理面間的偏離度:當兩條標記條分別包含標記格個數不相同時,則晶片定位邊與光刻掩膜版上的對準標記出現偏離角度α;當兩條標記條分別包含標記格個數相同時,則晶片定位邊與光刻掩膜版上的對準標記無偏離角度;其中所述標記條中標記格的邊長為a,所述兩條標記條間距為b,根據晶片上兩個標記條所含標記格個數之差n個,求偏離角度α,滿足如下公式:
tanα=na/b;
3)通過查看光刻后的晶片上相鄰標記格之間的位置關系,判斷光刻后復印到晶片上的圖案是膨大還是縮小:
當順次垂直于對準標記排列的標記格,相鄰標記格之間的距離增加時,則光刻后的復印到晶片上的圖案是縮小;
當順次垂直于對準標記排列的標記格,相鄰標記格之間的距離減小時,則光刻后復印到晶片上的圖案是膨大。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





