[發(fā)明專利]一種提高真空側(cè)功率容量的高功率微波介質(zhì)窗

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410374213.0
• 申請(qǐng)日: 2014-07-31
• 公開（公告）號(hào): CN104134833A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 常超;劉彥升;黃文華;李爽;武曉龍;郭樂田;陳昌華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北核技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H01P1/08
• 分類號(hào): H01P1/08
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種提高真空側(cè)功率容量的高功率微波介質(zhì)窗，其特征在于：所述高功率微波介質(zhì)窗的表面是由若干個(gè)曲面周期性結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的表面。

2.如權(quán)利要求1所述的高功率微波介質(zhì)窗，其特征在于，所述高功率微波介質(zhì)窗的表面是三維周期性函數(shù)表面。

3.如權(quán)利要求2所述的高功率微波介質(zhì)窗，其特征在于，所述三維周期性函數(shù)表面是三維周期性正弦函數(shù)表面，所述三維周期性正弦函數(shù)的包絡(luò)幅度是按下式計(jì)算的：

z＝-c|sin(kxx)sin(k_yy)|

其中，c為三維周期正弦結(jié)構(gòu)的深度，x、y、z為三維周期結(jié)構(gòu)口表面上點(diǎn)的橫坐標(biāo)、縱坐標(biāo)、豎坐標(biāo)，k_x表示三維周期結(jié)構(gòu)口表面x軸方向的波數(shù)，k_x＝2π/λ_x；k_y表示三維周期結(jié)構(gòu)口表面y軸方向的波數(shù)，k_y＝2π/λ_y，λ_x和λ_y為正弦曲面口面x軸方向和y軸方向的周期尺寸寬度。

4.如權(quán)利要求2所述的高功率微波介質(zhì)窗，其特征在于，所述三維周期性函數(shù)表面是三維周期性余弦函數(shù)表面，所述三維周期性余弦函數(shù)的包絡(luò)幅度是按下式計(jì)算的：

(x-(m+1)λx2)2+(y-nλx2)2=(λx2πarccos2zc-λx2)2,(m,n∈Z)]]>

其中，m和n確定單元函數(shù)包絡(luò)中心的位置，c為三維周期正弦結(jié)構(gòu)的深度，x、y、z為三維周期結(jié)構(gòu)口表面上點(diǎn)的橫坐標(biāo)、縱坐標(biāo)、豎坐標(biāo)，λ_x為旋轉(zhuǎn)余弦曲面口面的特征寬度。