[發明專利]具備全角反射鏡的發光二極管芯片的制備方法

在審

• 申請號: 201410374193.7
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN104269483A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 周武;胡根水
• 申請（專利權）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/26
• 分類號: H01L33/26;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種具備全角反射鏡ODR的發光二極管LED芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一外延片，所述外延片包括藍寶石襯底、以及依次層疊在所述藍寶石襯底上的圖形化藍寶石襯底PSS、外延層，所述外延層包括依次層疊在所述PSS上的N型層、有源層和P型層，所述外延層上開設有從所述P型層延伸到所述N型層的凹槽；

在所述外延片的正面形成劃片道，所述外延片的正面為所述外延片的與所述藍寶石襯底相反的一側的表面，所述劃片道的深度等于所述劃片道處的所述外延層的厚度與所述PSS的厚度之和；

在所述外延片上制備電流阻擋層、電流擴展層和電極，并減薄所述外延片；

在所述外延片的背面蒸鍍ODR，所述外延片的背面為所述藍寶石襯底未生長所述PSS的表面；

從所述外延片的正面沿著所述劃片道進行激光劃片；

對所述外延片進行裂片加工，得到LED芯片。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在外延片的正面形成劃片道，包括：

在所述外延片的正面沉積二氧化硅層；

采用光刻和濕法腐蝕，在所述二氧化硅層中形成劃片道；

采用等離子體刻蝕，沿著所述二氧化硅層中的劃片道形成所述外延層中的劃片道；

沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道；

去除所述二氧化硅層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道，包括：

采用等離子體刻蝕或高溫腐蝕，沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕形成所述PSS中的劃片道時，上電極功率為2000-2500W，下電極功率為500-800W，刻蝕壓力為1.5-2.0mtorr，刻蝕溫度為20-40℃，刻蝕氣體為120-150sccm的三氯化硼。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕形成所述外延層中的劃片道時，上電極功率為1800-2400W，下電極功率為300-400W，刻蝕壓力為2.5-3.5mtorr，刻蝕溫度為0-10℃，刻蝕氣體為20-40sccm的三氯化硼和100-140sccm的氯氣。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為700-1000nm。

7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述二氧化硅層，包括：

采用濕法腐蝕，去除所述二氧化硅層。

8.根據權利要求2或7所述的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕采用緩沖氧化蝕刻劑BOE溶液。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

采用光刻和等離子體刻蝕，在所述外延層上刻蝕出從所述P型層延伸到N型層的凹槽，刻蝕深度為1.3-1.6um。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延片的背面蒸鍍ODR，包括：

在所述外延片放入光學蒸鍍機之后，抽真空至5.0*E-5Pa；

在所述外延片的背面蒸鍍五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層，并在五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層上蒸鍍一層氧化鋁層；

在所述氧化鋁層上蒸鍍金屬銀的膜層；

在所述金屬銀的膜層上再蒸鍍一層氧化鋁層。