[發(fā)明專利]一種石墨烯薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410373851.0 | 申請(qǐng)日： | 2014-07-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104134594B | 公開（公告）日： | 2016-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李馳;白冰;李振軍;和峰;楊曉霞;裘曉輝;戴慶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 國(guó)家納米科學(xué)中心 |
| 主分類號(hào)： | H01J1/304 | 分類號(hào)： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟;楊晞 |
| 地址： | 100190 北*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 石墨 薄膜 發(fā)射 陰極 | ||
1.一種多孔石墨烯薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，其特征在于，所述多孔石墨烯薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極包括陰極基底(40)和覆蓋于陰極基底(40)上的多孔石墨烯薄膜(10)；所述多孔石墨烯薄膜(10)上設(shè)置有多孔陣列(30)。
2.如權(quán)利要求1所述的多孔石墨烯薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，其特征在于，所述多孔石墨烯薄膜(10)是在連續(xù)石墨烯薄膜(70)上形成多孔陣列(30)得到的。
3.如權(quán)利要求2所述的多孔石墨烯薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，其特征在于，所述連續(xù)石墨烯薄膜(70)的制備方法為氣相化學(xué)沉積法、等離子體增強(qiáng)氣相化學(xué)沉積法、機(jī)械剝離法或氧化還原法。
4.如權(quán)利要求2或3所述的多孔石墨烯場(chǎng)發(fā)射陰極，其特征在于，所述連續(xù)石墨烯薄膜(70)為單層石墨烯、兩層石墨烯或多層石墨烯。
5.如權(quán)利要求1-4之一所述的多孔石墨烯場(chǎng)發(fā)射陰極，其特征在于，所述多孔陣列(30)的制備方法為電子束光刻法、紫外線光刻法、微球模板法或陽(yáng)極氧化鋁模板法。
6.如權(quán)利要求1-5之一所述的多孔石墨烯薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，其特征在于，所述陰極基底(40)為絕緣材料。
7.如權(quán)利要求6所述的多孔石墨烯薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，其特征在于，所述陰極基底(40)材料為二氧化硅、三氧化二鋁或氮化硅中的一種或至少兩種的組合。
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