[發(fā)明專(zhuān)利]GaN基LED結(jié)構(gòu)及其形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410371644.1 | 申請(qǐng)日： | 2014-07-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105304779A | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-02-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳明馳 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 惠州比亞迪實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/06 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 516083*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | gan led 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 | ||
1.一種GaN基LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底之上的GaN緩沖層；
位于所述GaN緩沖層之上的第一摻雜類(lèi)型GaN層；
位于所述第一摻雜類(lèi)型GaN層之上的量子阱發(fā)光層；
位于所述量子阱發(fā)光層之上的第二摻雜類(lèi)型GaN層；
電子阻擋層，所述電子阻擋層位于所述量子阱發(fā)光層與P摻雜類(lèi)型GaN層之間，其中，所述電子阻擋層包括塊結(jié)構(gòu)層和超晶格結(jié)構(gòu)層，所述塊結(jié)構(gòu)層的禁帶寬度大于GaN的禁帶寬度，所述超晶格結(jié)構(gòu)層用于調(diào)節(jié)所述P摻雜類(lèi)型GaN層與所述塊結(jié)構(gòu)層之間的能帶傾斜程度以降低空穴勢(shì)壘高度；以及
P電極和N電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子阻擋層具體包括：
沿著鄰近所述量子阱發(fā)光層至遠(yuǎn)離所述量子阱發(fā)光層的方向依次層疊的AlGaN材料的第一塊結(jié)構(gòu)層和GaN/AlGaN材料的第一超晶格結(jié)構(gòu)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子阻擋層具體包括：
沿著鄰近所述量子阱發(fā)光層至遠(yuǎn)離所述量子阱發(fā)光層的方向依次層疊的AlGaN材料的第二塊結(jié)構(gòu)層和InGaN/GaN材料的第二超晶格結(jié)構(gòu)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子阻擋層具體包括：
沿著鄰近所述量子阱發(fā)光層至遠(yuǎn)離所述量子阱發(fā)光層的方向依次層疊的AlGaN/GaN材料的第三超晶格結(jié)構(gòu)層、AlGaN材料的第三塊結(jié)構(gòu)層和InGaN/GaN材料的第四超晶格結(jié)構(gòu)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子阻擋層具體包括：
沿著鄰近所述量子阱發(fā)光層至遠(yuǎn)離所述量子阱發(fā)光層的方向依次層疊的AlGaN/GaN材料的第五超晶格結(jié)構(gòu)層、AlGaN材料的第四塊結(jié)構(gòu)層和InGaN/AlGaN材料的第六超晶格結(jié)構(gòu)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述超晶格結(jié)構(gòu)層中的超晶格層數(shù)目為1-6層。
7.一種GaN基LED結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供襯底；
在所述襯底之上形成GaN緩沖層；
在所述GaN緩沖層之上形成第一摻雜類(lèi)型GaN層；
在所述第一摻雜類(lèi)型GaN層之上形成量子阱發(fā)光層；
在所述量子阱發(fā)光層之上形成第二摻雜類(lèi)型GaN層；
在所述量子阱發(fā)光層與P摻雜類(lèi)型GaN層之間形成電子阻擋層，其中，所述電子阻擋層包括塊結(jié)構(gòu)層和超晶格結(jié)構(gòu)層，所述塊結(jié)構(gòu)層的禁帶寬度大于GaN的禁帶寬度，所述超晶格結(jié)構(gòu)層用于調(diào)節(jié)所述P摻雜類(lèi)型GaN層與所述塊結(jié)構(gòu)層之間的能帶傾斜程度以降低空穴勢(shì)壘高度；以及
形成P電極和N電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述電子阻擋層具體包括：
沿著鄰近所述量子阱發(fā)光層至遠(yuǎn)離所述量子阱發(fā)光層的方向依次層疊的AlGaN材料的第一塊結(jié)構(gòu)層和GaN/AlGaN材料的第一超晶格結(jié)構(gòu)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述電子阻擋層具體包括：
沿著鄰近所述量子阱發(fā)光層至遠(yuǎn)離所述量子阱發(fā)光層的方向依次層疊的AlGaN材料的第二塊結(jié)構(gòu)層和InGaN/GaN材料的第二超晶格結(jié)構(gòu)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述電子阻擋層具體包括：
沿著鄰近所述量子阱發(fā)光層至遠(yuǎn)離所述量子阱發(fā)光層的方向依次層疊的AlGaN/GaN材料的第三超晶格結(jié)構(gòu)層、AlGaN材料的第三塊結(jié)構(gòu)層和InGaN/GaN材料的第四超晶格結(jié)構(gòu)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述電子阻擋層具體包括：
沿著鄰近所述量子阱發(fā)光層至遠(yuǎn)離所述量子阱發(fā)光層的方向依次層疊的AlGaN/GaN材料的第五超晶格結(jié)構(gòu)層、AlGaN材料的第四塊結(jié)構(gòu)層和InGaN/AlGaN材料的第六超晶格結(jié)構(gòu)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN基LED結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述超晶格結(jié)構(gòu)層中的超晶格的層數(shù)目為1-6層。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于惠州比亞迪實(shí)業(yè)有限公司，未經(jīng)惠州比亞迪實(shí)業(yè)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410371644.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
