[發明專利]多芯片結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201410371367.4
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN104377192B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 余振華;葉德強
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體器件，包括：

扇出結構，包括：

重分布層，設置在所述扇出結構的第一側上；

介電層，設置在所述重分布層的上方；和

多個第一凸塊，設置在所述介電層上方并且位于所述扇出結構的第二側上；

第一芯片，設置在所述扇出結構的第一側上方，其中，所述第一芯片包括連接至所述重分布層的多個第一通孔；

第二芯片，設置在所述第一芯片的上方，其中，

所述第二芯片通過多個第二凸塊連接至所述第一芯片；以及

模塑料層，設置在所述扇出結構的第一側的上方，其中，所述第一芯片和所述第二芯片均嵌入至所述模塑料層內，并且所述第一芯片的至少一個邊緣與所述第二芯片的相應邊緣并未垂直對齊，所述第一芯片的一個側壁和所述第二芯片的一個側壁暴露在所述模塑料層的外部。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二芯片的頂面暴露在所述模塑料層的外部。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二芯片包括堆疊在一起的多個半導體管芯。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二芯片的有源電路電連接至所述第一凸塊。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

在所述第一芯片的第一中心線和所述第二芯片的第二中心線之間的位移。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，

所述位移被配置為：

所述第一芯片的一邊緣與所述扇出結構的第一邊緣對齊；以及

所述第二芯片的一邊緣與所述扇出結構的第二邊緣對齊，并且所述第一邊緣和所述第二邊緣位于所述扇出結構的相對兩側上。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第一凸塊包括焊料、銅以及它們的任意組合。

8.一種半導體器件，包括：

第一芯片和第二芯片，堆疊在一起以形成多芯片結構，其中，所述多芯片結構嵌入在封裝層內，并且所述第一芯片的至少一個邊緣與所述第二芯片的相應邊緣并未垂直對齊，所述第一芯片的一個側壁和所述第二芯片的一個側壁暴露在所述封裝層的外部；

重分布層，設置在所述封裝層的第一側的頂面上，其中，

所述重分布層連接至所述第一芯片的有源電路和所述第二芯片的有源電路；和

所述重分布層延伸超出所述第一芯片和所述第二芯片中的至少一個邊緣；以及

多個導電凸塊，設置在所述重分布層的上方并且連接至所述重分布層。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括：

介電層，設置在所述多個導電凸塊和所述封裝層的第一側的頂面之間。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括：

多個凸塊，設置在所述第一芯片和所述第二芯片之間。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，

所述多芯片結構的頂面暴露在所述封裝層的第二側的外部。

12.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，

所述第二芯片包括堆疊在一起的多個半導體管芯。

13.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，

所述第一芯片和所述第二芯片被配置為：

所述第一芯片位移至所述封裝層的第一邊緣；以及

所述第二芯片位移至所述封裝層的第二邊緣，其中，所述第一邊緣和所述第二邊緣位于所述封裝層的相對兩側上。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，

所述第一芯片的一邊緣與所述封裝層的第一邊緣對齊；以及

所述第二芯片的一邊緣與所述封裝層的第二邊緣對齊。