[發明專利]一種單級式無電解電容LED驅動電源有效
| 申請號： | 201410371111.3 | 申請日： | 2014-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN104202862B | 公開（公告）日： | 2017-02-01 |
| 發明（設計）人： | 金科;張藝文;沈志遠 | 申請（專利權）人： | 南京航空航天大學 |
| 主分類號： | H05B37/00 | 分類號： | H05B37/00 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務所32237 | 代理人： | 賀翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單級式無 電解電容 led 驅動 電源 | ||
1.一種單級式無電解電容LED驅動電源，其特征在于：包括輸入濾波整流電路(1)、反激原邊開關電路(2)、輔助繞組全橋雙向電路(3)、副邊整流濾波電路(4)及隔離變壓器(T1)。
2.如權利要求1所述的單級式無電解電容LED驅動電源，其特征在于：隔離變壓器(T1)由一個原邊繞組和兩個副邊繞組組成，包括隔離變壓器(T1)原邊電感(Lm)和漏感；
輸入濾波整流電路(1)的濾波電路由輸入濾波電感(L1)和輸入濾波電容(C1)并聯在電網輸入兩端組成，輸入濾波整流電路(1)的整流部分采用四個二極管(D1、D2、D3、D4)組成的全橋不控整流電路并聯在濾波電路兩端；
反激原邊開關電路(2)由隔離變壓器(T1)原邊繞組的異名端與主開關MOS管(Q1)的漏極相連組成，主開關MOS管(Q1)包括其寄生二極管和寄生電容；
輔助繞組全橋雙向電路(3)由第一、第二輔助IGBT管(Qs1、Qs2)及第一、第二輔助MOS管(Qs3、Qs4)，第一、第二輔助二極管(Ds1、Ds2)及輔助儲能電容(Cb)組成，其中第一輔助IGBT管(Qs1)和第一輔助二極管(Ds1)以及第一輔助MOS管(Qs3)依次串聯，第二輔助IGBT管(Qs2)和第二輔助二極管(Ds2)以及第二輔助MOS管(Qs4)依次串聯后組成兩個橋臂并聯，并且并聯在隔離變壓器(T1)第二個副邊繞組兩端，隔離變壓器(T1)第二個副邊繞組的異名端與第一、第二輔助IGBT管(Qs1)、(Qs2)的集電極相連，同名端與第一、第二輔助MOS管(Qs3、Qs4)的源級相連，輔助儲能電容(Cb)的一端連在第一輔助IGBT管(Qs1)與第一輔助二極管(Ds1)的中點，另一端連在第二輔助IGBT管(Qs2)與第二輔助二極管(Ds2)的中點，第一、第二輔助IGBT管(Qs1、Qs2)各自包含其寄生電容，第一、第二輔助MOS管(Qs3、Qs4)各自包含其寄生二極管和寄生電容；
副邊整流濾波電路(4)由整流二極管(DR)，整流MOS管(QR)以及輸出濾波電容(C2)和輸出濾波電感(L2)組成，隔離變壓器(T1)第一個副邊繞組的異名端連于整流二極管(DR)的陽極，整流二極管(DR)與整流MOS管(QR)、輸出濾波電感(L2)串聯后連于LED負載的正輸出端，隔離變壓器(T1)第一個副邊繞組的同名端與LED負載的負輸出端相連，輸出濾波電容(C2)并聯于整流MOS管(QR)的源級與LED負載的負輸出端之間，整流MOS管(QR)包含其寄生二極管和寄生電容。
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